onsemi Tranzystor TO-92 140 V 3-pinowy NPN Otwór przelotowy 600 mA 2N5550TFR
- Nr art. RS:
- 166-3206
- Nr części producenta:
- 2N5550TFR
- Producent:
- onsemi
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Zobacz ceny hurtoweSuma częściowa (1 rolka po 2000 sztuk/i)*
396,00 zł
(bez VAT)
488,00 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 19 maja 2027
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Na Rolki* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 0,198 zł | 396,00 zł |
| 4000 + | 0,186 zł | 372,00 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 166-3206
- Nr części producenta:
- 2N5550TFR
- Producent:
- onsemi
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | onsemi | |
| Typ produktu | Tranzystor | |
| Maksymalny prąd DC kolektora Idc | 600mA | |
| Maksymalne napięcie emitera kolektora Vceo | 140V | |
| Typ obudowy | TO-92 | |
| Typ montażu | Otwór przelotowy | |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedyncza | |
| Maksymalne napięcie podstawy kolektora VCBO | 160V | |
| Maksymalne napięcie podstawy emitera VEBO | 6V | |
| Polaryzacja tranzystora | NPN | |
| Minimalne wzmocnienie prądu DC hFE | 20 | |
| Maksymalna częstotliwość przejściowa ft | 300MHz | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 625mW | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Wysokość | 21.77mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Szerokość | 4.19mm | |
| Seria | 2N5550 | |
| Długość | 5.2mm | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka onsemi | ||
Typ produktu Tranzystor | ||
Maksymalny prąd DC kolektora Idc 600mA | ||
Maksymalne napięcie emitera kolektora Vceo 140V | ||
Typ obudowy TO-92 | ||
Typ montażu Otwór przelotowy | ||
Konfiguracja tranzystora Pojedyncza | ||
Maksymalne napięcie podstawy kolektora VCBO 160V | ||
Maksymalne napięcie podstawy emitera VEBO 6V | ||
Polaryzacja tranzystora NPN | ||
Minimalne wzmocnienie prądu DC hFE 20 | ||
Maksymalna częstotliwość przejściowa ft 300MHz | ||
Maksymalna strata mocy Pd 625mW | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Wysokość 21.77mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Szerokość 4.19mm | ||
Seria 2N5550 | ||
Długość 5.2mm | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
Tranzystory NPN z małym sygnałem, powyżej 100 V, Fairchild Semiconductor
Tranzystory bipolarne, Fairchild Semiconductor
Szeroki zakres bipolarnych tranzystorów połączeniowych (BJT) zapewnia kompletne rozwiązania do różnych zastosowań obwodu. Innowacyjne obudowy zostały zaprojektowane z myślą o minimalnych rozmiarach, najwyższej niezawodności i maksymalnej wydajności termicznej.
Powiązane linki
- onsemi Tranzystor TO-92 140 V 3-pinowy NPN Otwór przelotowy 600 mA
- onsemi Tranzystor TO-92 40 V 3-pinowy NPN Otwór przelotowy 600 mA
- onsemi Tranzystor TO-92 30 V 3-pinowy NPN Otwór przelotowy 600 mA
- onsemi Tranzystor TO-92 160 V 3-pinowy NPN Otwór przelotowy 600 mA
- onsemi Tranzystor TO-92 40 V 3-pinowy NPN Otwór przelotowy 600 mA 2N4401BU
- onsemi Tranzystor TO-92 40 V 3-pinowy NPN Otwór przelotowy 600 mA 2N4401TAR
- onsemi Tranzystor TO-92 160 V 3-pinowy NPN Otwór przelotowy 600 mA 2N5551TF
- onsemi Tranzystor TO-92 160 V 3-pinowy NPN Otwór przelotowy 600 mA 2N5551TA