IGBT Ic 150 A Uce 650 V 2 Moduł kanał: N 437 W
- Nr art. RS:
- 427-702
- Nr części producenta:
- GD150HFX65C1S
- Producent:
- Starpower
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 sztuka)*
218,03 zł
(bez VAT)
268,18 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 01 czerwca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 1 - 9 | 218,03 zł |
| 10 - 99 | 196,25 zł |
| 100 + | 180,99 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 427-702
- Nr części producenta:
- GD150HFX65C1S
- Producent:
- Starpower
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Starpower | |
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 150 A | |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 650 V | |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V | |
| Maksymalna strata mocy | 437 W | |
| Liczba tranzystorów | 2 | |
| Typ opakowania | Moduł | |
| Konfiguracja | Podwójna | |
| Typ montażu | Montaż na śrubie | |
| Typ kanału | N | |
| Liczba styków | 7 | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Starpower | ||
Maksymalny ciągły prąd kolektora 150 A | ||
Maksymalne napięcie kolektor-emiter 650 V | ||
Maksymalne napięcie bramka-emiter ±20V | ||
Maksymalna strata mocy 437 W | ||
Liczba tranzystorów 2 | ||
Typ opakowania Moduł | ||
Konfiguracja Podwójna | ||
Typ montażu Montaż na śrubie | ||
Typ kanału N | ||
Liczba styków 7 | ||
- Kraj pochodzenia:
- CN
Moduł zasilania Starpower IGBT zapewnia bardzo niskie straty przewodzenia, a także wytrzymałość na zwarcie. Są one przeznaczone do zastosowań takich jak ogólne falowniki i zasilacze UPS.
VCE(sat) z dodatnim współczynnikiem temperaturowym
Maksymalna temperatura połączenia 175°C
Obudowa o niskiej indukcyjności
Szybkie i łagodne odzyskiwanie wstecznego i równoległego FWD
Izolowana miedziana płyta bazowa wykorzystująca technologię DBC
Maksymalna temperatura połączenia 175°C
Obudowa o niskiej indukcyjności
Szybkie i łagodne odzyskiwanie wstecznego i równoległego FWD
Izolowana miedziana płyta bazowa wykorzystująca technologię DBC
.
Powiązane linki
- IGBT Ic 150 A Uce 650 V 4 Moduł kanał: N 451 W
- IGBT Ic 150 A Uce 650 V 4 Moduł kanał: N 355 W
- IGBT Ic 150 A Uce 650 V kanał: N 600 W
- Moduł IGBT Ic 650 A Uce 150 V Moduł 335 W
- Moduł IGBT Ic 35 A Uce 650 V 6 DIP26 kanał: N
- IGBT Ic 150 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: P 455 W
- IGBT Ic 50 A Uce 650 V 2 Moduł kanał: N 205 W
- IGBT Ic 75 A Uce 650 V 2 Moduł kanał: N 308 W