IGBT Ic 100 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 134 W

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 opakowanie po 10 sztuk/i)*

224,15 zł

(bez VAT)

275,70 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 250 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Za Opakowanie*
10 - 9022,415 zł224,15 zł
100 - 24019,323 zł193,23 zł
250 +16,749 zł167,49 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
202-5677
Nr części producenta:
FGHL50T65SQDT
Producent:
onsemi
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

onsemi

Maksymalny ciągły prąd kolektora

100 A

Maksymalne napięcie kolektor-emiter

650 V

Maksymalne napięcie bramka-emiter

±30.0V

Liczba tranzystorów

1

Maksymalna strata mocy

134 W

Typ opakowania

TO-247

Typ kanału

N

Liczba styków

3

Konfiguracja tranzystora

Pojedynczy

Tranzystory IGBT ON Semiconductor zapewniają optymalną wydajność falownika słonecznego, zasilacza UPS, spawarki, teletelekomunikacji, systemu ESS i systemu PFC, w których istotne są niskie straty przewodzenia i przełączania.

Maksymalna temperatura złącza 175°C.
Wysoka wydajność prądowa
Wysoka impedancja wejściowa
Szybkie przełączanie
Dokręcić rozdział parametrów
Nie zawiera PB i jest zgodny z RoHS

.


Powiązane linki