IGBT Ic 4 A Uce 600 V 1 TO-251 kanał: N 42 W
- Nr art. RS:
- 244-0897
- Nr części producenta:
- IGU04N60TAKMA1
- Producent:
- Infineon
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 opakowanie po 5 sztuk/i)*
14,37 zł
(bez VAT)
17,675 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- Liczba sztuk gotowa do wysyłki: 25
- Dodatkowe 40 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
- Dodatkowe 110 szt. dostępne od 12 grudnia 2025
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 2,874 zł | 14,37 zł |
| 10 - 95 | 2,718 zł | 13,59 zł |
| 100 - 245 | 2,574 zł | 12,87 zł |
| 250 - 495 | 2,476 zł | 12,38 zł |
| 500 + | 2,34 zł | 11,70 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 244-0897
- Nr części producenta:
- IGU04N60TAKMA1
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 4 A | |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V | |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20.0V | |
| Maksymalna strata mocy | 42 W | |
| Liczba tranzystorów | 1 | |
| Typ opakowania | TO-251 | |
| Konfiguracja | Pojedyncza | |
| Typ montażu | Otwór przezierny | |
| Typ kanału | N | |
| Wymiary | 6.6 x 6.1 x 0.09mm | |
| Pojemność bramki | 252pF | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Maksymalna temperatura robocza | +175 °C | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Maksymalny ciągły prąd kolektora 4 A | ||
Maksymalne napięcie kolektor-emiter 600 V | ||
Maksymalne napięcie bramka-emiter ±20.0V | ||
Maksymalna strata mocy 42 W | ||
Liczba tranzystorów 1 | ||
Typ opakowania TO-251 | ||
Konfiguracja Pojedyncza | ||
Typ montażu Otwór przezierny | ||
Typ kanału N | ||
Wymiary 6.6 x 6.1 x 0.09mm | ||
Pojemność bramki 252pF | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Maksymalna temperatura robocza +175 °C | ||
Infineon IGBT, maksymalny ciągły prąd kolektora 4 A, maksymalne napięcie emitera kolektora 600 V - IGU04N60TAKMA1
Ten tranzystor IGBT jest wysoce wydajnym tranzystorem zaprojektowanym do użytku w wymagających aplikacjach. Dzięki maksymalnemu napięciu kolektor-emiter 600 V i ciągłemu prądowi kolektora 4 A, ten moduł TO-251 IGBT wyróżnia się wysoką wydajnością. Kompaktowe wymiary 6,6 x 6,1 x 0,09 mm sprawiają, że nadaje się do różnych konfiguracji, działając skutecznie w zakresie temperatur od -40°C do +175°C.
Cechy i zalety
• Bardzo niskie napięcie nasycenia zwiększa wydajność energetyczną
• Wytrzymałość zwarciowa na poziomie 5 μs zwiększa niezawodność
• Wysoka prędkość przełączania optymalizuje wydajność systemu
• Niski poziom naładowania bramki zmniejsza zapotrzebowanie na moc sterownika
• Doskonała stabilność termiczna zapewnia stałą pracę
• Ścisły rozkład parametrów zwiększa elastyczność projektowania
• Wytrzymałość zwarciowa na poziomie 5 μs zwiększa niezawodność
• Wysoka prędkość przełączania optymalizuje wydajność systemu
• Niski poziom naładowania bramki zmniejsza zapotrzebowanie na moc sterownika
• Doskonała stabilność termiczna zapewnia stałą pracę
• Ścisły rozkład parametrów zwiększa elastyczność projektowania
Zastosowania
• Wykorzystywane w przetwornicach częstotliwości do wydajnej konwersji energii
• Idealny do napędów silników elektrycznych w warunkach przemysłowych
• Skuteczne zasilanie w miejscach o ograniczonej przestrzeni
• Nadaje się do systemów energii odnawialnej wymagających wysokiej wydajności
• Zaprojektowany dla różnych systemów automatyki wymagających niezawodności
• Idealny do napędów silników elektrycznych w warunkach przemysłowych
• Skuteczne zasilanie w miejscach o ograniczonej przestrzeni
• Nadaje się do systemów energii odnawialnej wymagających wysokiej wydajności
• Zaprojektowany dla różnych systemów automatyki wymagających niezawodności
Jakie są kluczowe właściwości elektryczne tego tranzystora IGBT?
Urządzenie to charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektor-emiter 600 V i ciągłym prądem kolektora 4 A, dzięki czemu nadaje się do zastosowań o dużej mocy. Jego maksymalne rozproszenie mocy wynosi 42 W, co pozwala mu skutecznie radzić sobie z dużymi obciążeniami.
Jak zakres napięcia bramka-emiter wpływa na użyteczność?
Zakres napięcia bramka-emiter wynoszący ±20 V zapewnia elastyczność w konfiguracjach sterujących, umożliwiając integrację z różnymi obwodami sterującymi przy zachowaniu stabilnej pracy w różnych warunkach.
Jakie są zalety specyfikacji odporności termicznej?
Dzięki rezystancji termicznej wynoszącej 3,5 K/W między złączem a obudową, ten tranzystor IGBT zapewnia wydajne zarządzanie ciepłem, umożliwiając długotrwałą pracę w wysokich temperaturach bez pogorszenia wydajności, co jest niezbędne w zastosowaniach o dużej mocy.
Co sprawia, że ten tranzystor IGBT nadaje się do pracy w trudnych warunkach?
Urządzenie działa w zakresie od -40°C do +175°C, zapewniając niezawodność w ekstremalnych temperaturach, co ma kluczowe znaczenie w zastosowaniach przemysłowych narażonych na zmienne warunki środowiskowe.
.
Powiązane linki
- IGBT Ic 4 A Uce 600 V TO-251 42 W
- IGBT Ic 81 A Uce 600 V 1 SOT-227 kanał: N 231 W
- IGBT Ic 120 A Uce 600 V TO-247AB Pojedynczy kanał: N 600 W
- IGBT Ic 15 A Uce 600 V TO-220 Pojedynczy kanał: N
- IGBT Ic 36 A Uce 600 V TO-220AB Pojedynczy kanał: N
- IGBT Ic 15 A Uce 600 V TO-220FP Pojedynczy kanał: N
- IGBT Ic 25 A Uce 600 V TO-220 Pojedynczy kanał: N
- IGBT Ic 20 A Uce 600 V TO-220 Pojedynczy kanał: N
