IGBT Ic 4 A Uce 600 V 1 TO-251 kanał: N 42 W

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 opakowanie po 5 sztuk/i)*

14,37 zł

(bez VAT)

17,675 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • Liczba sztuk gotowa do wysyłki: 25
  • Dodatkowe 40 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
  • Dodatkowe 110 szt. dostępne od 12 grudnia 2025
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Za Opakowanie*
5 - 52,874 zł14,37 zł
10 - 952,718 zł13,59 zł
100 - 2452,574 zł12,87 zł
250 - 4952,476 zł12,38 zł
500 +2,34 zł11,70 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
244-0897
Nr części producenta:
IGU04N60TAKMA1
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Maksymalny ciągły prąd kolektora

4 A

Maksymalne napięcie kolektor-emiter

600 V

Maksymalne napięcie bramka-emiter

±20.0V

Maksymalna strata mocy

42 W

Liczba tranzystorów

1

Typ opakowania

TO-251

Konfiguracja

Pojedyncza

Typ montażu

Otwór przezierny

Typ kanału

N

Wymiary

6.6 x 6.1 x 0.09mm

Pojemność bramki

252pF

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Maksymalna temperatura robocza

+175 °C

Infineon IGBT, maksymalny ciągły prąd kolektora 4 A, maksymalne napięcie emitera kolektora 600 V - IGU04N60TAKMA1


Ten tranzystor IGBT jest wysoce wydajnym tranzystorem zaprojektowanym do użytku w wymagających aplikacjach. Dzięki maksymalnemu napięciu kolektor-emiter 600 V i ciągłemu prądowi kolektora 4 A, ten moduł TO-251 IGBT wyróżnia się wysoką wydajnością. Kompaktowe wymiary 6,6 x 6,1 x 0,09 mm sprawiają, że nadaje się do różnych konfiguracji, działając skutecznie w zakresie temperatur od -40°C do +175°C.

Cechy i zalety


• Bardzo niskie napięcie nasycenia zwiększa wydajność energetyczną
• Wytrzymałość zwarciowa na poziomie 5 μs zwiększa niezawodność
• Wysoka prędkość przełączania optymalizuje wydajność systemu
• Niski poziom naładowania bramki zmniejsza zapotrzebowanie na moc sterownika
• Doskonała stabilność termiczna zapewnia stałą pracę
• Ścisły rozkład parametrów zwiększa elastyczność projektowania

Zastosowania


• Wykorzystywane w przetwornicach częstotliwości do wydajnej konwersji energii
• Idealny do napędów silników elektrycznych w warunkach przemysłowych
• Skuteczne zasilanie w miejscach o ograniczonej przestrzeni
• Nadaje się do systemów energii odnawialnej wymagających wysokiej wydajności
• Zaprojektowany dla różnych systemów automatyki wymagających niezawodności

Jakie są kluczowe właściwości elektryczne tego tranzystora IGBT?


Urządzenie to charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektor-emiter 600 V i ciągłym prądem kolektora 4 A, dzięki czemu nadaje się do zastosowań o dużej mocy. Jego maksymalne rozproszenie mocy wynosi 42 W, co pozwala mu skutecznie radzić sobie z dużymi obciążeniami.

Jak zakres napięcia bramka-emiter wpływa na użyteczność?


Zakres napięcia bramka-emiter wynoszący ±20 V zapewnia elastyczność w konfiguracjach sterujących, umożliwiając integrację z różnymi obwodami sterującymi przy zachowaniu stabilnej pracy w różnych warunkach.

Jakie są zalety specyfikacji odporności termicznej?


Dzięki rezystancji termicznej wynoszącej 3,5 K/W między złączem a obudową, ten tranzystor IGBT zapewnia wydajne zarządzanie ciepłem, umożliwiając długotrwałą pracę w wysokich temperaturach bez pogorszenia wydajności, co jest niezbędne w zastosowaniach o dużej mocy.

Co sprawia, że ten tranzystor IGBT nadaje się do pracy w trudnych warunkach?


Urządzenie działa w zakresie od -40°C do +175°C, zapewniając niezawodność w ekstremalnych temperaturach, co ma kluczowe znaczenie w zastosowaniach przemysłowych narażonych na zmienne warunki środowiskowe.

.


Powiązane linki