IGBT Ic 30 A Uce 600 V 1 TO-263-3 110 W
- Nr art. RS:
- 258-7063
- Nr części producenta:
- IKB10N60TATMA1
- Producent:
- Infineon
Suma częściowa (1 rolka po 1000 sztuk/i)*
2 769,00 zł
(bez VAT)
3 406,00 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 27 kwietnia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Na Rolki* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,769 zł | 2 769,00 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 258-7063
- Nr części producenta:
- IKB10N60TATMA1
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 30 A | |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V | |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | 20V | |
| Liczba tranzystorów | 1 | |
| Maksymalna strata mocy | 110 W | |
| Konfiguracja | Pojedynczy kolektor, pojedynczy emiter, pojedyncza bramka | |
| Typ opakowania | TO-263-3 | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Maksymalny ciągły prąd kolektora 30 A | ||
Maksymalne napięcie kolektor-emiter 600 V | ||
Maksymalne napięcie bramka-emiter 20V | ||
Liczba tranzystorów 1 | ||
Maksymalna strata mocy 110 W | ||
Konfiguracja Pojedynczy kolektor, pojedynczy emiter, pojedyncza bramka | ||
Typ opakowania TO-263-3 | ||
Dyskretny układ IGBT firmy Infineon z diodą antyrównoległą w obudowie TO-263. Znacząco poprawia zarówno statyczną, jak i dynamiczną wydajność urządzenia, dzięki połączeniu koncepcji komórki tranzytowej i stopu pola. Ma również niskie straty przewodzenia i przełączania.
Najniższy spadek VCEsat zapewnia mniejsze straty przewodzenia
Łatwe równoległe przełączanie dzięki dodatniemu współczynnikowi temperatury w VCEsat
Bardzo miękka, szybka dioda sterowana emiterem antyrównoległym
Wysoka wytrzymałość, stabilność temperatury
Niski poziom ładowania bramki
Łatwe równoległe przełączanie dzięki dodatniemu współczynnikowi temperatury w VCEsat
Bardzo miękka, szybka dioda sterowana emiterem antyrównoległym
Wysoka wytrzymałość, stabilność temperatury
Niski poziom ładowania bramki
.
Powiązane linki
- IGBT Ic 30 A Uce 600 V 1 TO-263-3 110 W
- IGBT Ic 10 A Uce 600 V D2PAK (TO-263) Pojedynczy kanał: N 110 W
- IGBT Ic 20 A Uce 600 V D2PAK (TO-263) Pojedynczy kanał: N 65 W
- IGBT Ic 10 A Uce 600 V D2PAK (TO-263) Pojedynczy kanał: N 65 W
- IGBT Ic 31 A Uce 600 V D2PAK (TO-263) Pojedynczy kanał: N 208 W
- Moduł tranzystorowy IGBT Ic 24 A Uce 600 V 3 PG-TO-220-3 110 W
- IGBT Ic 1899-12-31 06:00:00 Uce 600 V 1 TO-263 kanał: N 88 W
- IGBT Ic 30 A Uce 1600 V 1 TO-247 kanał: N 263 W
