IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 kanał: N 20 mW
- Nr art. RS:
- 273-2927
- Nr części producenta:
- FP75R12N2T7BPSA2
- Producent:
- Infineon
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 tacka po 15 sztuk/i)*
7 314,855 zł
(bez VAT)
8 997,27 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- 15 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Tackę* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | 487,657 zł | 7 314,86 zł |
| 30 + | 447,021 zł | 6 705,32 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 273-2927
- Nr części producenta:
- FP75R12N2T7BPSA2
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 75 A | |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 1200 V | |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V | |
| Maksymalna strata mocy | 20 mW | |
| Liczba tranzystorów | 7 | |
| Konfiguracja | Emiter wspólny | |
| Typ montażu | Montaż na panelu | |
| Typ kanału | N | |
| Liczba styków | 31 | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Maksymalny ciągły prąd kolektora 75 A | ||
Maksymalne napięcie kolektor-emiter 1200 V | ||
Maksymalne napięcie bramka-emiter ±20V | ||
Maksymalna strata mocy 20 mW | ||
Liczba tranzystorów 7 | ||
Konfiguracja Emiter wspólny | ||
Typ montażu Montaż na panelu | ||
Typ kanału N | ||
Liczba styków 31 | ||
Trzyfazowy moduł PIM IGBT firmy Infineon z diodą IGBT7, 7 sterowaną emiterem i NTC. PIM (Power Integrated Modules) z integracją prostownika i chopperu hamulcowego umożliwia oszczędność kosztów systemu.
Wysoka niezawodność i gęstość mocy
Miedziana płyta podstawowa zapewniająca zoptymalizowane rozprzestrzenianie się ciepła
Wysoka gęstość mocy
Technologia styków lutowniczych
Miedziana płyta podstawowa zapewniająca zoptymalizowane rozprzestrzenianie się ciepła
Wysoka gęstość mocy
Technologia styków lutowniczych
.
Powiązane linki
- Moduł IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 EASY2B kanał: N 20 mW
- IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW
- IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW
- IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 7 kanał: N 20 mW
- IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 Moduł PIM kanał: N
- IGBT Ic 15 A Uce 1200 V 7 EasyPIM kanał: N 20 mW
- IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 7 EasyPIM kanał: N 20 mW
- IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 6 kanał: N 20 mW