IGBT Ic 30 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 217 W
- Nr art. RS:
- 826-8223P
- Nr części producenta:
- IKW15N120H3FKSA1
- Producent:
- Infineon
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa 20 sztuk/i (dostarczane w tubie)*
419,40 zł
(bez VAT)
515,80 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- 238 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 20 - 48 | 20,97 zł |
| 50 - 98 | 19,555 zł |
| 100 - 198 | 18,135 zł |
| 200 + | 16,945 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 826-8223P
- Nr części producenta:
- IKW15N120H3FKSA1
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 30 A | |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 1200 V | |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V | |
| Maksymalna strata mocy | 217 W | |
| Typ opakowania | TO-247 | |
| Typ montażu | Otwór przezierny | |
| Typ kanału | N | |
| Liczba styków | 3 | |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy | |
| Wymiary | 16.03 x 5.16 x 21.1mm | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Maksymalny ciągły prąd kolektora 30 A | ||
Maksymalne napięcie kolektor-emiter 1200 V | ||
Maksymalne napięcie bramka-emiter ±20V | ||
Maksymalna strata mocy 217 W | ||
Typ opakowania TO-247 | ||
Typ montażu Otwór przezierny | ||
Typ kanału N | ||
Liczba styków 3 | ||
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy | ||
Wymiary 16.03 x 5.16 x 21.1mm | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Maksymalna temperatura robocza +175°C | ||
Infineon TrenchStop tranzystory IGBT, 1100 do 1600
Seria tranzystorów IGBT firmy Infineon z wartościami napięcia znamionowymi emitera emitującego światło kolekcjonerskie od 1100 do 1600 V, wyposażonych w technologię TrenchStop™. Oferta obejmuje urządzenia ze zintegrowaną diodą antyrównoległą o dużej prędkości i szybkim odzyskiwaniu.
• Zakres napięcia kolektora od 1100 do 1600 V.
• Bardzo niskie VCEsat
• Niskie straty związane z wyłączeniem
• Krótki prąd zwrotny
• Niskie zakłócenia elektromagnetyczne
• Maksymalna temperatura połączenia 175°C.
• Bardzo niskie VCEsat
• Niskie straty związane z wyłączeniem
• Krótki prąd zwrotny
• Niskie zakłócenia elektromagnetyczne
• Maksymalna temperatura połączenia 175°C.
.
Moduł IDBT - moduł Infineon
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.