Moduł IGBT Ic 295 A Uce 1200 V Moduł 62 mm Szereg kanał: N 1050 W

Zobacz wszystkie Tranzystory IGBT
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 sztuka)*

521,78 zł

(bez VAT)

641,79 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 4 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
1 - 1521,78 zł
2 - 4495,68 zł
5 +474,80 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
838-6891
Nr części producenta:
FF200R12KE3HOSA1
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Maksymalny ciągły prąd kolektora

295 A

Maksymalne napięcie kolektor-emiter

1200 V

Maksymalne napięcie bramka-emiter

±20V

Maksymalna strata mocy

1050 W

Typ opakowania

Moduł 62 mm

Konfiguracja

Seria

Typ montażu

Montaż na panelu

Typ kanału

N

Liczba styków

7

Szybkość przełączania

1MHz

Konfiguracja tranzystora

Szereg

Wymiary

106.4 x 61.4 x 29mm

Maksymalna temperatura robocza

+125°C

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Moduły IGBT, Infineon


Oferta modułów Infineon firmy IGBT zapewnia niską utratę przełączania przy przełączaniu do 60 kHz.
IGBT obejmuje szereg modułów mocy, takich jak pakiety EKONOMICZNE z napięciem emitującym w kolektorze przy napięciu 1200 V, moduły rozdrabniacza półmostkowego PrimePACK IGBT z CTN do 1600/1700V. System PrimePACK IGBT można znaleźć w pojazdach przemysłowych, handlowych, budowlanych i rolniczych. Moduły N-Channel TRENCHSTOP TM i Fieldstop IGBT nadają się do pracy z przełączaniem na twardo i miękkimi przełącznikami, takimi jak przemienniki, zasilacze UPS i napędy przemysłowe.

W skład zestawu wchodzą: Moduły 62 mm, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4

.



Moduł IDBT - moduł Infineon


Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.

Powiązane linki