MOSFET N-kanałowy 500 mA SOT-89 500 V
- Nr art. RS:
- 598-308
- Nr części producenta:
- VN2450N8-G
- Producent:
- Microchip
Suma częściowa (1 rolka po 2000 sztuk/i)*
8 990,00 zł
(bez VAT)
11 058,00 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 02 lutego 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Na Rolki* |
|---|---|---|
| 2000 + | 4,495 zł | 8 990,00 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 598-308
- Nr części producenta:
- VN2450N8-G
- Producent:
- Microchip
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Microchip | |
| Typ kanału | N | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 500 mA | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 500 V | |
| Typ opakowania | SOT-89 | |
| Series | VN2450 | |
| Typ montażu | Otwór przezierny | |
| Liczba styków | 3 | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Liczba elementów na układ | 1 | |
| Materiał tranzystora | Krzem | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Microchip | ||
Typ kanału N | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu 500 mA | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło 500 V | ||
Typ opakowania SOT-89 | ||
Series VN2450 | ||
Typ montażu Otwór przezierny | ||
Liczba styków 3 | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Liczba elementów na układ 1 | ||
Materiał tranzystora Krzem | ||
Tranzystor pionowy z trybem wzmocnienia kanału N firmy Microchip wykorzystuje pionową strukturę półprzewodnikową z podwójnie rozpraszanym tlenkiem metalu (DMOS) wraz ze sprawdzonym procesem produkcji bramki krzemowej. Ta kombinacja zapewnia, że urządzenie jest wolne od wtórnych awarii i działa z niskim wymogiem zasilania napędu, dzięki czemu jest wydajne i niezawodne do różnych zastosowań.
Łatwość łączenia równoległego
Wymagania dotyczące napędu o niskim poborze mocy
Wysoka impedancja wejściowa i wysoki wzrost
Wymagania dotyczące napędu o niskim poborze mocy
Wysoka impedancja wejściowa i wysoki wzrost
.
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 250 mA SOT-89 600 V
- MOSFET N-kanałowy 200 mA SOT-89 450 V SMD
- MOSFET N-kanałowy 120 mA SOT-89 450 V SMD
- MOSFET N-kanałowy 730 mA SOT-89 350 V SMD
- MOSFET N-kanałowy 730 mA SOT-89 100 V SMD
- MOSFET N-kanałowy 360 mA SOT-89 250 V SMD
- MOSFET P-kanałowy 160 mA SOT-89 500 V SMD Pojedynczy 1,6 W 35 omów
- MOSFET N-kanałowy 13 mA SOT-23 500 V SMD
