MOSFET N-kanałowy 24 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 60 W 40 miliomów
- Nr art. RS:
- 102-3533
- Nr części producenta:
- STD20NF06T4
- Producent:
- STMicroelectronics
Suma częściowa (1 rolka po 2500 sztuk/i)*
6 012,50 zł
(bez VAT)
7 395,00 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- 15 000 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Na Rolki* |
|---|---|---|
| 2500 + | 2,405 zł | 6 012,50 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 102-3533
- Nr części producenta:
- STD20NF06T4
- Producent:
- STMicroelectronics
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | STMicroelectronics | |
| Typ kanału | N | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 24 A | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 60 V | |
| Seria | STripFET | |
| Typ opakowania | DPAK (TO-252) | |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 40 miliomów | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V | |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V | |
| Maksymalna strata mocy | 60 W | |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V | |
| Szerokość | 6.2mm | |
| Liczba elementów na układ | 1 | |
| Materiał tranzystora | Si | |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 23 nC przy 10 V | |
| Długość | 6.6mm | |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C | |
| Wysokość | 2.4mm | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka STMicroelectronics | ||
Typ kanału N | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu 24 A | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło 60 V | ||
Seria STripFET | ||
Typ opakowania DPAK (TO-252) | ||
Typ montażu Montaż powierzchniowy | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło 40 miliomów | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Maksymalne napięcie progowe VGS 4V | ||
Minimalne napięcie progowe VGS 2V | ||
Maksymalna strata mocy 60 W | ||
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V | ||
Szerokość 6.2mm | ||
Liczba elementów na układ 1 | ||
Materiał tranzystora Si | ||
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 23 nC przy 10 V | ||
Długość 6.6mm | ||
Maksymalna temperatura robocza +175°C | ||
Wysokość 2.4mm | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 24 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 60 W 40 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 24 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 60 W 50 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 60 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 110 W 16 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 46,9 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 60 W 24 miliomy
- MOSFET N-kanałowy 16 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 40 W 70 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 17 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 18 W 40 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 24 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 40 W 85 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 40 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 75 W 29 miliomów