MOSFET P-kanałowy 70 A D2PAK (TO-263) 55 V SMD Pojedynczy 170 W 20 miliomów

Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia P-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.

Ten wysokoprądowy MOSFET nadaje się do różnych zastosowań w automatyce i elektronice. Przy maksymalnym ciągłym prądzie drenu wynoszącym 70 A, działa on przy napięciu dren-źródło do 55 V. Konfiguracja w trybie ulepszonym spełnia wymagania dotyczące wydajności, a niski współczynnik RDS(on) maksymalizuje efektywność energetyczną. Zaprojektowany do zastosowań o dużej mocy, ten MOSFET oferuje stabilność termiczną, dzięki czemu nadaje się do rygorystycznych warunków pracy.

• Poprawia wydajność systemu dzięki niskim wartościom rezystancji włączenia
• Skuteczne działanie w zakresie temperatur od -55°C do +150°C
• Obsługuje szybkie prędkości przełączania w celu zwiększenia wydajności
• Charakteryzuje się solidną konstrukcją dla powtarzających się warunków lawinowych
• Dostarczany w obudowie D2PAK TO-263 do prostego montażu powierzchniowego

• Używany w systemach zarządzania energią i konwerterach
• Odpowiedni do kontroli motorycznej wymagające wysokiej wydajności
• Zintegrowany z zasilaczami impulsowymi w celu zwiększenia wydajności
• Zastosowanie w środowiskach motoryzacyjnych wymagających niezawodnej kontroli
• Stosowane w automatyce przemysłowej wymagającej dużej mocy

Maksymalna temperatura pracy urządzenia wynosi +150°C, co zapewnia stabilność w zmiennych warunkach środowiskowych.

Niski współczynnik RDS(on) minimalizuje straty przewodzenia, zwiększając ogólną wydajność obwodu i umożliwiając chłodniejszą pracę.

Tak, jest w stanie zarządzać impulsowymi prądami drenu do 280 A, dzięki czemu nadaje się do dynamicznych zastosowań.

Napięcie bramka-źródło powinno pozostawać w zakresie od -20 V do +20 V, aby zagwarantować skuteczne działanie bez ryzyka uszkodzenia.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.