MOSFET P-kanałowy 70 A D2PAK (TO-263) 55 V SMD Pojedynczy 170 W 20 miliomów

Nr art. RS:: 831-2819
Nr części producenta:: IRF4905STRLPBF
Producent:: Infineon

MOSFET P-kanałowy 70 A D2PAK (TO-263) 55 V SMD Pojedynczy 170 W 20 miliomów

Suma częściowa (1 opakowanie po 5 sztuk/i)**

20,85 zł

(bez VAT)

25,65 zł

(z VAT)

95 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.*

55 Dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.

* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.

BEZPŁATNA dostawa przy zamówieniu powyżej 300,00 zł

Sprawdź dostępność

Produkty	Za jednostkę	Za Opakowanie**
5 +	4,17 zł	20,87 zł

**cena orientacyjna

Nr art. RS:: 831-2819
Nr części producenta:: IRF4905STRLPBF
Producent:: Infineon

Tranzystor MOSFET z serii HEXFET firmy Infineon, maksymalny ciągły prąd drenu 70 A, maksymalne rozproszenie mocy 170 W - IRF4905STRLPBF

Ten wysokoprądowy MOSFET nadaje się do różnych zastosowań w automatyce i elektronice. Przy maksymalnym ciągłym prądzie drenu wynoszącym 70 A, działa on przy napięciu dren-źródło do 55 V. Konfiguracja w trybie ulepszonym spełnia wymagania dotyczące wydajności, a niski współczynnik RDS(on) maksymalizuje efektywność energetyczną. Zaprojektowany do zastosowań o dużej mocy, ten MOSFET oferuje stabilność termiczną, dzięki czemu nadaje się do rygorystycznych warunków pracy.

Cechy i zalety

• Poprawia wydajność systemu dzięki niskim wartościom rezystancji włączenia
• Skuteczne działanie w zakresie temperatur od -55°C do +150°C
• Obsługuje szybkie prędkości przełączania w celu zwiększenia wydajności
• Charakteryzuje się solidną konstrukcją dla powtarzających się warunków lawinowych
• Dostarczany w obudowie D2PAK TO-263 do prostego montażu powierzchniowego

Zastosowania

• Używany w systemach zarządzania energią i konwerterach
• Odpowiedni do kontroli motorycznej wymagające wysokiej wydajności
• Zintegrowany z zasilaczami impulsowymi w celu zwiększenia wydajności
• Zastosowanie w środowiskach motoryzacyjnych wymagających niezawodnej kontroli
• Stosowane w automatyce przemysłowej wymagającej dużej mocy

W jakiej maksymalnej temperaturze może pracować to urządzenie?

Maksymalna temperatura pracy urządzenia wynosi +150°C, co zapewnia stabilność w zmiennych warunkach środowiskowych.

W jaki sposób niski RDS(on) wpływa na projekt obwodu?

Niski współczynnik RDS(on) minimalizuje straty przewodzenia, zwiększając ogólną wydajność obwodu i umożliwiając chłodniejszą pracę.

Czy ten komponent może obsługiwać prądy impulsowe?

Tak, jest w stanie zarządzać impulsowymi prądami drenu do 280 A, dzięki czemu nadaje się do dynamicznych zastosowań.

Jakie są kluczowe parametry wyboru kompatybilnych napięć sterujących?

Napięcie bramka-źródło powinno pozostawać w zakresie od -20 V do +20 V, aby zagwarantować skuteczne działanie bez ryzyka uszkodzenia.

Czy nadaje się do zastosowań związanych z przełączaniem wysokich częstotliwości?

Urządzenie zostało zaprojektowane do szybkiego przełączania, dzięki czemu nadaje się do funkcji operacyjnych o wysokiej częstotliwości w obwodach elektronicznych.

.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

Atrybut	Parametr
Typ kanału	P
Maksymalny ciągły prąd drenu	70 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	55 V
Seria	HEXFET
Typ opakowania	D2PAK (TO-263)
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	20 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	4V
Minimalne napięcie progowe VGS	2V
Maksymalna strata mocy	170 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Szerokość	9.65mm
Długość	10.67mm
Liczba elementów na układ	1
Maksymalna temperatura robocza	+150°C
Materiał tranzystora	Si
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	120 nC przy 10 V
Napięcie przewodzenia diody	1.3V
Wysokość	4.83mm
Minimalna temperatura robocza	-55°C