MOSFET Typ N-kanałowy 20 A TO-252 30 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 74 W onsemi 31 mΩ
- Nr art. RS:
- 163-2293
- Nr części producenta:
- NTD20N03L27T4G
- Producent:
- onsemi
Suma częściowa (1 rolka po 2500 sztuk/i)*
5 562,50 zł
(bez VAT)
6 842,50 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- 2500 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Na Rolki* |
|---|---|---|
| 2500 + | 2,225 zł | 5 562,50 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 163-2293
- Nr części producenta:
- NTD20N03L27T4G
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanału | Typ N | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu Id | 20A | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło Vds | 30V | |
| Seria | NTD | |
| Typ obudowy | TO-252 | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds | 31mΩ | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 74W | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs | 24 V | |
| Napięcie przewodzenia Vf | 0.9V | |
| Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs | 18.9nC | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Wysokość | 2.38mm | |
| Szerokość | 6.22 mm | |
| Długość | 6.73mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Norma motoryzacyjna | AEC-Q101 | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanału Typ N | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu Id 20A | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło Vds 30V | ||
Seria NTD | ||
Typ obudowy TO-252 | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds 31mΩ | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Maksymalna strata mocy Pd 74W | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs 24 V | ||
Napięcie przewodzenia Vf 0.9V | ||
Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs 18.9nC | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Wysokość 2.38mm | ||
Szerokość 6.22 mm | ||
Długość 6.73mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Norma motoryzacyjna AEC-Q101 | ||
- Kraj pochodzenia:
- MY
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
Tranzystory MOSFET, ON Semiconductor
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 20 A DPAK (TO-252) 30 V SMD Pojedynczy 74 W 31 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 31 A DPAK (TO-252) 100 V SMD 31 Ω
- MOSFET P-kanałowy 31 A DPAK (TO-252) 55 V SMD
- MOSFET N-kanałowy 56 A DPAK (TO-252) 55 V SMD 16 mΩ
- MOSFET P-kanałowy 31 A DPAK (TO-252) 55 V SMD 0.065 Ω
- MOSFET N-kanałowy 7 A DPAK (TO-252) SMD Pojedynczy 85 W 680 mΩ
- MOSFET P-kanałowy 14 A019 oma
- MOSFET N-kanałowy 23 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 3 W 31 miliomów
