MOSFET N-kanałowy 62 A TO-247 600 V Pojedynczy 400 W 40 miliomów
- Nr art. RS:
- 168-7989
- Nr części producenta:
- TK62N60W,S1VF(S
- Producent:
- Toshiba
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 tuba po 30 sztuk/i)*
1 456,56 zł
(bez VAT)
1 791,57 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 01 czerwca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Tubę* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 48,552 zł | 1 456,56 zł |
| 150 - 270 | 43,697 zł | 1 310,91 zł |
| 300 + | 41,076 zł | 1 232,28 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 168-7989
- Nr części producenta:
- TK62N60W,S1VF(S
- Producent:
- Toshiba
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Toshiba | |
| Typ kanału | N | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 62 A | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 600 V | |
| Typ opakowania | TO-247 | |
| Seria | TK | |
| Typ montażu | Otwór przezierny | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 40 miliomów | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 3.7V | |
| Maksymalna strata mocy | 400 W | |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V | |
| Szerokość | 5.02mm | |
| Materiał tranzystora | Si | |
| Liczba elementów na układ | 1 | |
| Długość | 15.94mm | |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C | |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 180 nC przy 10 V | |
| Wysokość | 20.95mm | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Toshiba | ||
Typ kanału N | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu 62 A | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło 600 V | ||
Typ opakowania TO-247 | ||
Seria TK | ||
Typ montażu Otwór przezierny | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło 40 miliomów | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Maksymalne napięcie progowe VGS 3.7V | ||
Maksymalna strata mocy 400 W | ||
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło -30 V, +30 V | ||
Szerokość 5.02mm | ||
Materiał tranzystora Si | ||
Liczba elementów na układ 1 | ||
Długość 15.94mm | ||
Maksymalna temperatura robocza +150°C | ||
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 180 nC przy 10 V | ||
Wysokość 20.95mm | ||
- Kraj pochodzenia:
- CN
MOSFET N-Channel, seria TK6 i TK7, Toshiba
.
Tranzystory MOSFET, Toshiba
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 62 A TO-247 600 V Pojedynczy 400 W 40 mΩ
- MOSFET N-kanałowy 20 A TO-247 600 V 165 W 175 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 20 A TO-247 600 V Pojedynczy 165 W 155 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 62 A TO-247 650 V Pojedynczy 780 W 50 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 20 A TO-247 600 V Pojedynczy 165 W 155 mΩ
- MOSFET N-kanałowy 39 A TO-247 600 V Pojedynczy 270 W 65 mΩ
- Moduł MOSFET N-kanałowy 62 A TO-247-4 600 V 0,036 oma
- MOSFET N-kanałowy 11 A TO-247 800 V Pojedynczy 150 W 400 miliomów
