Tranzystor MOSFET N-kanałowy 120 mA TO-92 400 V 25 Ω

Zobacz wszystkie Tranzystory MOSFET

Suma częściowa (1 opakowanie po 1000 sztuk/i)*

2 884,00 zł

(bez VAT)

3 547,00 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • Dostępne od 12 stycznia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Za Opakowanie*
1000 +2,884 zł2 884,00 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
170-4341
Nr części producenta:
DN2540N3-G
Producent:
Microchip
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Microchip

Typ kanału

N

Maksymalny ciągły prąd drenu

120 mA

Maksymalne napięcie dren-źródło

400 V

Seria

DN2540

Typ opakowania

TO-92

Typ montażu

Otwór przezierny

Liczba styków

3

Maksymalna rezystancja dren-źródło

25 Ω

Tryb kanałowy

Wyczerpanie

Materiał tranzystora

Krzem

Liczba elementów na układ

1

Kraj pochodzenia:
TH

Tranzystory MOSFET supertex N-Channel Depletion Mode


Tranzystory DMOS FET firmy Microchip z serii Supertex produkowane w trybie N-kanałowym są przystosowane do zastosowań wymagających wysokiego napięcia awarii, wysokiej impedancji wejściowej, niskiej pojemności wejściowej i szybkiej szybkości przełączania.

Funkcje


Wysoka impedancja wejściowa
Niska pojemność wejściowa
Wysoka szybkość przełączania
Niska rezystancja w stanie włączenia
Bez wtórnego przebicia
Niski prąd upływu na wejściu i wyjściu

Typowe zastosowania


Przełączniki normalnie włączone
Przekaźniki półprzewodnikowe
Przetwornice
Wzmacniacze liniowe
Źródła prądu stałego
Obwody zasilania
Telekomunikacja

Tranzystor Microchip DN2540 N-Channel Delution mode (normalnie włączony) wykorzystuje pionową strukturę DMOS firmy Advanced i sprawdzony proces produkcji bramki silikonowej. Ta kombinacja daje urządzenie o możliwościach bipolarnych tranzystorów oraz o wysokiej impedancji wejściowej i dodatnim współczynniku temperatury związanym z urządzeniami MOS. Podobnie jak wszystkie konstrukcje MOS urządzenie to pozbawione jest strat termicznych oraz wtórnego przebicia wywołanego temperaturą. Pionowe układy FET DMOS są idealnie dostosowane do szerokiego zakresu zastosowań przy przełączaniu i wzmacnianiu, gdzie ważnymi parametrami są wysokie napięcie przebicia, wysoka impedancja wejściowa, niska pojemność wejściowa oraz szybkie przełączanie. Posiada napięcie odprowadzane do źródła i odprowadzane do bramki 400 V oraz rezystancję nastanową spustu statycznego do źródła 25 Ω.

Wysoka impedancja wejściowa
Niska pojemność wejściowa
Wysoka szybkość przełączania
Niska rezystancja w stanie włączenia
Bez wtórnego przebicia
Niski prąd upływu na wejściu i wyjściu
Bez zawartości ołowiu (Pb)
Pakiet 3-Lead TO-92

.



Tranzystory MOSFET, Microchip

Powiązane linki