MOSFET P-kanałowy 3,5 A SOT-23 30 V SMD 0.138 O.

Zobacz wszystkie Tranzystory MOSFET
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 rolka po 3000 sztuk/i)*

1 968,00 zł

(bez VAT)

2 421,00 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • Dostępne od 27 lipca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Na Rolki*
3000 - 30000,656 zł1 968,00 zł
6000 +0,624 zł1 872,00 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
180-7270
Nr części producenta:
SI2307CDS-T1-GE3
Producent:
Vishay
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Vishay

Typ kanału

P

Maksymalny ciągły prąd drenu

3,5 A

Maksymalne napięcie dren-źródło

30 V

Seria

TrenchFET

Typ opakowania

SOT-23

Typ montażu

Montaż powierzchniowy

Liczba styków

3

Maksymalna rezystancja dren-źródło

0.138 O.

Tryb kanałowy

Rozszerzenie

Maksymalne napięcie progowe VGS

3V

Liczba elementów na układ

1

Kraj pochodzenia:
CN

Tranzystor MOSFET Vishay


Dwukanałowy tranzystor MOSFET do montażu powierzchniowego Vishay to nowy produkt wiekowy o napięciu źródła spustu 30 V i maksymalnym napięciu źródła sygnału 20 V. It ma odporność na ścieki 88mohm przy napięciu źródła bramki 10V. It ma ciągły prąd odpływowy o natężeniu 3,5A i maksymalną moc znamionową 1,8 W. Minimalne i maksymalne napięcie zasilania tego tranzystora wynosi odpowiednio 4,5 V i 10 V. It ma zastosowanie w przełącznikach obciążenia dla urządzeń przenośnych. Tranzystor MOSFET został zoptymalizowany pod kątem mniejszych strat związanych z przełączaniem i przewodnictwem. Tranzystor MOSFET zapewnia doskonałą wydajność oraz długi i wydajny okres eksploatacji bez utraty wydajności i funkcjonalności.

Charakterystyka i zalety


• Bez zawartości halogenu
• bez ołowiu (Pb)
• zakres temperatur roboczych od -55°C do 150°C.
• TrenchFET mocy MOSFET

Certyfikaty


• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007

.


Powiązane linki