MOSFET N-kanałowy 71 A LFPAK, SOT-669 40 V SMD Pojedynczy 50 W 5,3 milioma

Zobacz wszystkie Tranzystory MOSFET

Suma częściowa (1 rolka po 3000 sztuk/i)*

5 406,00 zł

(bez VAT)

6 648,00 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Ostatni magazyn RS
  • Ostatnie 3000 sztuk, gotowe do wysyłki z innej lokalizacji
Produkty
Za jednostkę
Na Rolki*
3000 +1,802 zł5 406,00 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
195-2522
Nr części producenta:
NVMYS5D3N04CTWG
Producent:
onsemi
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

onsemi

Typ kanału

N

Maksymalny ciągły prąd drenu

71 A

Maksymalne napięcie dren-źródło

40 V

Typ opakowania

LFPAK, SOT-669

Typ montażu

Montaż powierzchniowy

Liczba styków

4

Maksymalna rezystancja dren-źródło

5,3 milioma

Tryb kanałowy

Rozszerzenie

Maksymalne napięcie progowe VGS

3.5V

Minimalne napięcie progowe VGS

2.5V

Maksymalna strata mocy

50 W

Konfiguracja tranzystora

Pojedynczy

Maksymalne napięcie bramka-źródło

±20 V

Długość

5mm

Liczba elementów na układ

1

Szerokość

4.25mm

Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs

16 przy 10 V nC

Maksymalna temperatura robocza

+175°C

Norma motoryzacyjna

AEC-Q101

Minimalna temperatura robocza

-55°C

Wysokość

1.15mm

Napięcie przewodzenia diody

1.2V

Motoryzacyjny układ Power MOSFET w obudowie DPAK z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne. Tranzystory MOSFET i PPAP nadają się do zastosowań motoryzacyjnych wymagających większej niezawodności na poziomie płytki.

Kompaktowa konstrukcja z małą powierzchnią podstawy (5 x 6 mm)
Niska wartość RDS(on) ogranicza do minimum straty przewodzenia
Niska wartość QG i pojemność minimalizują straty sterownika
Pakiet Lfpak4, Standard Branżowy
Zgodność z procesem PPAP
Urządzenia bez zawartości ołowiu

.


Powiązane linki