MOSFET N-kanałowy 20 A D2PAK (TO-263) 650 V SMD Pojedynczy 162 W 190 miliomów

Zobacz wszystkie Tranzystory MOSFET

Suma częściowa (1 rolka po 800 sztuk/i)*

5 766,40 zł

(bez VAT)

7 092,80 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • Dostępne od 06 kwietnia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Na Rolki*
800 +7,208 zł5 766,40 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
195-2666
Nr części producenta:
NVB190N65S3F
Producent:
onsemi
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

onsemi

Typ kanału

N

Maksymalny ciągły prąd drenu

20 A

Maksymalne napięcie dren-źródło

650 V

Typ opakowania

D2PAK (TO-263)

Typ montażu

Montaż powierzchniowy

Liczba styków

3

Maksymalna rezystancja dren-źródło

190 miliomów

Tryb kanałowy

Rozszerzenie

Maksymalne napięcie progowe VGS

5V

Minimalne napięcie progowe VGS

3V

Maksymalna strata mocy

162 W

Konfiguracja tranzystora

Pojedynczy

Maksymalne napięcie bramka-źródło

±30 V

Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs

34 przy 10 V NC

Maksymalna temperatura robocza

+150°C

Szerokość

9.65mm

Liczba elementów na układ

1

Długość

10.67mm

Wysokość

4.58mm

Napięcie przewodzenia diody

1.3V

Norma motoryzacyjna

AEC-Q101

Minimalna temperatura robocza

-55°C

SUPERFET III MOSFET marki ON Semiconductor to zupełnie nowa rodzina elementów MOSFET SJ wysokiego napięcia, która korzysta z technologii równoważenia obciążenia, aby zapewnić doskonałą rezystancję włączenia i obniżyć ładunek bramki. Ta zaawansowana technologia jest dopasowana do minimalnych strat przewodzenia, zapewnienia najwyższej wydajności przełączania i wytrzymywania najwyższego wzrostu dv/dt. W efekcie konstrukcje SuperFET III MOSFET doskonale sprawdzają się w różnych układach zasilania wymagających miniaturyzacji i wysokiej sprawności. Zoptymalizowana charakterystyka prądu wstecznego diod układów MOSFET SuperFET III FRFET® umożliwia usunięcie dodatkowego komponentu i zwiększenie niezawodności systemu.

701 V PRZY TJ = 150°C.
Większa niezawodność układu przy pracy w niskiej temperaturze
Bardzo niski ładunek bramki (Qg = typ. 33 nC)
Niższe straty przełączania
Niska efektywna pojemność wyjścia (typ. Coss(eff.) = 300 pF)
Niższe straty przełączania
Zgodność z procesem PPAP
Stand. RDS(on) = 158 mΩ
Zastosowanie
Przetwornica DC/DC

.


Powiązane linki