Tranzystor MOSFET N-kanałowy 29 A TO-247 1200 V 0,11 oma

Zobacz wszystkie Tranzystory MOSFET
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 opakowanie po 2 sztuk/i)*

56,88 zł

(bez VAT)

69,96 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 8 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
  • Dodatkowe 304 szt. dostępne od 12 grudnia 2025
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Za Opakowanie*
2 - 1828,44 zł56,88 zł
20 - 19824,525 zł49,05 zł
200 +21,24 zł42,48 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
202-5707
Nr części producenta:
NTHL160N120SC1
Producent:
onsemi
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

onsemi

Typ kanału

N

Maksymalny ciągły prąd drenu

29 A

Maksymalne napięcie dren-źródło

1200 V

Typ opakowania

TO-247

Seria

NTH

Typ montażu

Otwór przezierny

Liczba styków

3

Maksymalna rezystancja dren-źródło

0,11 oma

Tryb kanałowy

Rozszerzenie

Maksymalne napięcie progowe VGS

4.3V

Liczba elementów na układ

1

Materiał tranzystora

SiC

MOSFET z węglika krzemu (SiC) - EliteSiC, 160 mohmów, 1200 V, M1, MOSFET z węglika krzemu (SiC) TO-247-3L - EliteSiC, 160 mohmów, 1200 V, M1, TO-247-3L


Tranzystor MOSFET z węglika krzemu ON Semiconductor pracuje z 17 amperami i 1200 woltami. Może być stosowany w zasilaczu bezprzerwającym, przetworniku DC/DC, przemienniku mocy.

Odpływ o pojemności 160 mO do źródła na rezystancji
Bardzo niski poziom naładowania bramki
W 100% przebadany pod kątem zjawiska lawinowego
Bez zawartości ołowiu
Zgodność z RoHS

.


Powiązane linki