MOSFET N-kanałowy 100 A PowerDI5060-8 30 V SMD 0.0017 O.
- Nr art. RS:
- 213-9236
- Nr części producenta:
- DMTH31M7LPSQ-13
- Producent:
- DiodesZetex
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 opakowanie po 5 sztuk/i)*
14,92 zł
(bez VAT)
18,35 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- 1625 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,984 zł | 14,92 zł |
| 50 - 95 | 2,898 zł | 14,49 zł |
| 100 - 245 | 2,826 zł | 14,13 zł |
| 250 - 995 | 2,746 zł | 13,73 zł |
| 1000 + | 2,682 zł | 13,41 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 213-9236
- Nr części producenta:
- DMTH31M7LPSQ-13
- Producent:
- DiodesZetex
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | DiodesZetex | |
| Typ kanału | N | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 100 A | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V | |
| Seria | DMTH31M7LPSQ | |
| Typ opakowania | PowerDI5060-8 | |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy | |
| Liczba styków | 8 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 0.0017 O. | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 3V | |
| Liczba elementów na układ | 1 | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka DiodesZetex | ||
Typ kanału N | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu 100 A | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V | ||
Seria DMTH31M7LPSQ | ||
Typ opakowania PowerDI5060-8 | ||
Typ montażu Montaż powierzchniowy | ||
Liczba styków 8 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło 0.0017 O. | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Maksymalne napięcie progowe VGS 3V | ||
Liczba elementów na układ 1 | ||
Seria DiodesZetex DMTH31M7LPSQ to N-kanałowy system MOSFET zaprojektowany z myślą o spełnieniu surowych wymagań w zakresie zastosowań motoryzacyjnych.
Niewielkie rozmiary
Wydajne termicznie opakowanie zapewnia większą gęstość produktów końcowych
100% rozciągane przełączanie iInductive zapewnia większą niezawodność
Wydajne termicznie opakowanie zapewnia większą gęstość produktów końcowych
100% rozciągane przełączanie iInductive zapewnia większą niezawodność
.
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 100 A PowerDI5060-8 30 V SMD 0.0017 O.
- MOSFET N-kanałowy 100 A PowerDI5060-8 100 V SMD 0.0046 O.
- MOSFET P-kanałowy 100 A PowerDI5060-8 30 V
- MOSFET N-kanałowy 100 A PowerDI5060-8 80 V SMD 0.4 O.
- MOSFET N-kanałowy 91 A PowerDI5060-8 100 V SMD 0.8 O.
- MOSFET N-kanałowy 86 A PowerDI5060-8 100 V SMD 0.0089 O.
- MOSFET N-kanałowy 100 A PowerDI5060-8 30 V SMD 0.003 Ω
- MOSFET N-kanałowy 100 A PowerDI5060-8 30 V SMD 0.0028 Ω