MOSFET N-kanałowy 120 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD 0.0009 Ω

Zobacz wszystkie Tranzystory MOSFET
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 opakowanie po 5 sztuk/i)*

31,98 zł

(bez VAT)

39,335 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 14 915 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Za Opakowanie*
5 - 456,396 zł31,98 zł
50 - 1205,508 zł27,54 zł
125 - 2455,184 zł25,92 zł
250 - 4954,798 zł23,99 zł
500 +4,572 zł22,86 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
229-1796
Nr części producenta:
IAUC120N04S6N009ATMA1
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Typ kanału

N

Maksymalny ciągły prąd drenu

120 A

Maksymalne napięcie dren-źródło

40 V

Typ opakowania

SuperSO8 5 x 6

Series

OptiMOS™ 5

Typ montażu

Montaż powierzchniowy

Liczba styków

8

Maksymalna rezystancja dren-źródło

0.0009 Ω

Tryb kanałowy

Rozszerzenie

Maksymalne napięcie progowe VGS

3.4V

Materiał tranzystora

Krzem

Liczba elementów na układ

1

40 V, kanał N, maks. 0,9 mΩ, MOSFET motoryzacyjny, PQNF, OptiMOSTM-6


Firma Infineon wprowadza najnowszą technologię OptiMOSTM6 40 V Power MOS w bezprzewodowej obudowie SS08 5 x 6 mm2 o najwyższym poziomie jakości i wytrzymałości do zastosowań motoryzacyjnych. Portfel 16 produktów (RDSon_max od 0,8 mΩ do 4,4 mΩ obejmuje cały zakres zastosowań, od zastosowań o niskim poborze mocy, np. korpusów, po zastosowania o wysokim poborze mocy, np. EPS), co umożliwia klientowi znalezienie najlepszego produktu odpowiedniego do jego zastosowań.
Wszystko to umożliwia najlepszy w swojej klasie produkt FOM (RDSon x Qg) i wydajność na rynku. Nowy produkt SS08 oferuje prąd znamionowy ciągły 120 A, który jest o ponad 25% wyższy niż standardowy DPAK na prawie połowie jego powierzchni.
Ponadto nowa generacja obudowy SS08 umożliwia doskonałą wydajność przełączania i zachowanie EMI dzięki bardzo niskiej indukcyjności obudowy (≈4x niższa indukcyjność obudowy w porównaniu z tradycyjnymi obudowami, np. DPAK, D2PAK) dzięki zastosowaniu nowej technologii styków wzajemnych z zaciskiem miedzianym.

Podsumowanie funkcji


•OptiMOSTM - MOSFET mocy do zastosowań motoryzacyjnych
•N-kanałowy - Tryb wzmocnienia - Poziom normalny
•Certyfikat AEC Q101
•MSL1 do temperatury szczytowej 260°C
•Temperatura robocza 175°C
•Produkt ekologiczny (zgodny z RoHS)
•W 100% przetestowane pod wpływem lawin

.


Powiązane linki