MOSFET Typ N-kanałowy 60 A SuperSO8 5 x 6 20 V Rozszerzenie 8-pinowy Powierzchnia 81 W Infineon 1.4 mΩ
- Nr art. RS:
- 243-9314
- Nr części producenta:
- IAUC60N04S6N044ATMA1
- Producent:
- Infineon
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 opakowanie po 5 sztuk/i)*
26,19 zł
(bez VAT)
32,215 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- 2620 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 5,238 zł | 26,19 zł |
| 50 - 120 | 4,284 zł | 21,42 zł |
| 125 - 245 | 4,042 zł | 20,21 zł |
| 250 - 495 | 3,772 zł | 18,86 zł |
| 500 + | 3,456 zł | 17,28 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 243-9314
- Nr części producenta:
- IAUC60N04S6N044ATMA1
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Typ kanału | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu Id | 60A | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło Vds | 20V | |
| Typ obudowy | SuperSO8 5 x 6 | |
| Seria | IAUC | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Liczba styków | 8 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds | 1.4mΩ | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 81W | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs | 20 V | |
| Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs | 80nC | |
| Napięcie przewodzenia Vf | 1.1V | |
| Maksymalna temperatura robocza | 175°C | |
| Normy/Zatwierdzenia | RoHS | |
| Norma motoryzacyjna | AEC-Q101 | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Typ kanału Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu Id 60A | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło Vds 20V | ||
Typ obudowy SuperSO8 5 x 6 | ||
Seria IAUC | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Liczba styków 8 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds 1.4mΩ | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Maksymalna strata mocy Pd 81W | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs 20 V | ||
Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs 80nC | ||
Napięcie przewodzenia Vf 1.1V | ||
Maksymalna temperatura robocza 175°C | ||
Normy/Zatwierdzenia RoHS | ||
Norma motoryzacyjna AEC-Q101 | ||
Infineon posiada MOSFET, który jest OptiMOS Power MOSFET do zastosowań motoryzacyjnych, N-Channel-Enhancement mode-Logic Level i AEC Q101 qualified.
Kanał N.
100% testowano na Awalanche
Zgodność z normą AEC Q101
MSL1 do 260°C Relow Peak
Temperatura pracy: 175°C
Ekologiczny produkt (zgodny z RoHS)
Powiązane linki
- Tranzystor MOSFET N-kanałowy 60 A SuperSO8 5 x 6 20 V SMD
- Tranzystor MOSFET N-kanałowy 20 A SuperSO8 5 x 6 60 V SMD
- MOSFET N-kanałowy 20 A SuperSO8 5 x 6 60 V SMD
- Tranzystor MOSFET N-kanałowy 64 A SuperSO8 5 x 6 60 V SMD
- Tranzystor MOSFET N-kanałowy 48 A SuperSO8 5 x 6 60 V SMD
- Tranzystor MOSFET N-kanałowy 101 A SuperSO8 5 x 6 60 V SMD
- Tranzystor MOSFET N-kanałowy 65 A SuperSO8 5 x 6 60 V SMD
- Tranzystor MOSFET N-kanałowy 20 A SuperSO8 5 x 6 80 V SMD
