MOSFET N-kanałowy 180 A PG-TDSON-8 60 V SMD

Zobacz wszystkie Tranzystory MOSFET
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 opakowanie po 5 sztuk/i)*

17,33 zł

(bez VAT)

21,315 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 4120 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Za Opakowanie*
5 - 453,466 zł17,33 zł
50 - 1203,096 zł15,48 zł
125 - 2452,26 zł11,30 zł
250 - 4951,908 zł9,54 zł
500 +1,558 zł7,79 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
258-7756
Nr części producenta:
BSC076N06NS3GATMA1
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Typ kanału

N

Maksymalny ciągły prąd drenu

180 A

Maksymalne napięcie dren-źródło

60 V

Typ opakowania

PG-TDSON-8

Typ montażu

Montaż powierzchniowy

Tranzystor mocy Infineon OptiMOS 3 jest doskonałym wyborem do synchronicznego prostowania w zasilaczach w trybie przełączania, takich jak te znajdujące się w serwerach i komputerach stacjonarnych oraz ładowarkach do tabletek. Ponadto urządzenia te mogą być używane do szerokiej gamy zastosowań przemysłowych, takich jak sterowanie silnikami, mikro falowniki słoneczne i szybko przełączane przetwornice DC-DC.

Bardzo niska rezystancja włączenia RDS włączenia
Idealne rozwiązanie do szybkiego przełączania
Zgodność z RoHS
Najwyższa sprawność systemu

.


Powiązane linki