MOSFET N-kanałowy 34 A TO-263 650 V SMD

Zobacz wszystkie Tranzystory MOSFET
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 tuba po 50 sztuk/i)*

1 032,95 zł

(bez VAT)

1 270,55 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • Dostępne od 20 kwietnia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Za Tubę*
50 - 5020,659 zł1 032,95 zł
100 - 45016,898 zł844,90 zł
500 - 95014,378 zł718,90 zł
1000 +12,932 zł646,60 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
268-8291
Nr części producenta:
SIHB085N60EF-GE3
Producent:
Vishay
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Vishay

Typ kanału

N

Maksymalny ciągły prąd drenu

34 A

Maksymalne napięcie dren-źródło

650 V

Typ opakowania

TO-263

Typ montażu

Montaż powierzchniowy

Liczba styków

3

Tryb kanałowy

Rozszerzenie

Materiał tranzystora

Krzem

Liczba elementów na układ

2

Kraj pochodzenia:
CN
Układ MOSFET mocy serii EF firmy Vishay z szybką diodą korpusu i technologią serii E 4 generacji. Zmniejsza straty podczas przełączania i przewodzenia i jest używana w takich zastosowaniach, jak zasilacze w trybie przełączanym, zasilacze serwerowe i korekcja współczynnika mocy

Niska pojemność skuteczna
Energia lawinowa
Niska wartość merytoryczna

.


Powiązane linki