MOSFET N-kanałowy 14 A TO-247 500 V Pojedynczy 110 W 250 miliomów
- Nr art. RS:
- 761-0288
- Nr części producenta:
- STW19NM50N
- Producent:
- STMicroelectronics
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 sztuka)*
28,08 zł
(bez VAT)
34,54 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- 26 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 1 - 1 | 28,08 zł |
| 2 + | 26,69 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 761-0288
- Nr części producenta:
- STW19NM50N
- Producent:
- STMicroelectronics
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | STMicroelectronics | |
| Typ kanału | N | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 14 A | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 500 V | |
| Typ opakowania | TO-247 | |
| Seria | MDmesh | |
| Typ montażu | Otwór przezierny | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 250 miliomów | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V | |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V | |
| Maksymalna strata mocy | 110 W | |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -25 V, +25 V | |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C | |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 34 nC przy 10 V | |
| Długość | 15.75mm | |
| Szerokość | 5.15mm | |
| Liczba elementów na układ | 1 | |
| Materiał tranzystora | Si | |
| Wysokość | 20.15mm | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka STMicroelectronics | ||
Typ kanału N | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu 14 A | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło 500 V | ||
Typ opakowania TO-247 | ||
Seria MDmesh | ||
Typ montażu Otwór przezierny | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło 250 miliomów | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Maksymalne napięcie progowe VGS 4V | ||
Minimalne napięcie progowe VGS 2V | ||
Maksymalna strata mocy 110 W | ||
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło -25 V, +25 V | ||
Maksymalna temperatura robocza +150 °C | ||
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 34 nC przy 10 V | ||
Długość 15.75mm | ||
Szerokość 5.15mm | ||
Liczba elementów na układ 1 | ||
Materiał tranzystora Si | ||
Wysokość 20.15mm | ||
N-Channel MDmesh™, 500V, STMicroelectronics
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 14 A TO-247 500 V Pojedynczy 110 W 250 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 14 A TO-220 500 V Pojedynczy 110 W 250 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 110 A TO-247 250 V 694 W 24 miliomy
- MOSFET N-kanałowy 14 A TO-247 500 V Pojedynczy 150 W 380 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 26 A TO-247 500 V Pojedynczy 500 W 240 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 14 A TO-247 500 V
- Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 31 A TO-247 1200 V 110 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 45 A TO-247 600 V Pojedynczy 417 W 110 miliomów