MPN

MOSFET N-kanałowy 71 A DFN 60 V SMD Pojedynczy 61 W 8,8 milioma

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa 100 sztuk/i (dostarczane w postaci ciągłej taśmy)*

200,30 zł

(bez VAT)

246,40 zł

(z VAT)

W magazynie

Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.

*cena orientacyjna

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Szczegółowe dane produktu

Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.

Zaznacz wszystkie	Atrybut	Wartość
	Marka	onsemi
	Typ kanału	N
	Maksymalny ciągły prąd drenu	71 A
	Maksymalne napięcie dren-źródło	60 V
	Typ opakowania	DFN
	Typ montażu	Montaż powierzchniowy
	Liczba styków	5
	Maksymalna rezystancja dren-źródło	8,8 milioma
	Tryb kanałowy	Rozszerzenie
	Maksymalne napięcie progowe VGS	2V
	Maksymalna strata mocy	61 W
	Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
	Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
	Maksymalna temperatura robocza	+175°C
	Długość	5.1mm
	Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	20 nC przy 10 V, 9 nC przy 4,5 V
	Szerokość	6.1mm
	Liczba elementów na układ	1
	Materiał tranzystora	Si
	Napięcie przewodzenia diody	1.2V
	Wysokość	1.95mm
	Minimalna temperatura robocza	-55°C

	Zaznacz wszystkie
	Marka onsemi
	Typ kanału N
	Maksymalny ciągły prąd drenu 71 A
	Maksymalne napięcie dren-źródło 60 V
	Typ opakowania DFN
	Typ montażu Montaż powierzchniowy
	Liczba styków 5
	Maksymalna rezystancja dren-źródło 8,8 milioma
	Tryb kanałowy Rozszerzenie
	Maksymalne napięcie progowe VGS 2V
	Maksymalna strata mocy 61 W
	Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
	Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
	Maksymalna temperatura robocza +175°C
	Długość 5.1mm
	Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 20 nC przy 10 V, 9 nC przy 4,5 V
	Szerokość 6.1mm
	Liczba elementów na układ 1
	Materiał tranzystora Si
	Napięcie przewodzenia diody 1.2V
	Wysokość 1.95mm
	Minimalna temperatura robocza -55°C

Powiązane linki