MPN

MOSFET N-kanałowy 5,8 A SOT-23 30 V SMD Pojedynczy 720 mW 42 miliomy

Suma częściowa (1 rolka po 3000 sztuk/i)*

660,00 zł

(bez VAT)

810,00 zł

(z VAT)

W magazynie

Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.

Produkty	Za jednostkę	Na Rolki*
3000 +	0,22 zł	660,00 zł

*cena orientacyjna

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Szczegółowe dane produktu

Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.

Zaznacz wszystkie	Atrybut	Wartość
	Marka	DiodesZetex
	Typ kanału	N
	Maksymalny ciągły prąd drenu	5,8 A
	Maksymalne napięcie dren-źródło	30 V
	Typ opakowania	SOT-23
	Typ montażu	Montaż powierzchniowy
	Liczba styków	3
	Maksymalna rezystancja dren-źródło	42 miliomy
	Tryb kanałowy	Rozszerzenie
	Maksymalne napięcie progowe VGS	2V
	Maksymalna strata mocy	720 mW
	Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
	Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
	Materiał tranzystora	Si
	Szerokość	1.4mm
	Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	9,2 nC przy 10 V
	Długość	3mm
	Maksymalna temperatura robocza	+150°C
	Liczba elementów na układ	1
	Minimalna temperatura robocza	-55°C
	Wysokość	1.1mm

	Zaznacz wszystkie
	Marka DiodesZetex
	Typ kanału N
	Maksymalny ciągły prąd drenu 5,8 A
	Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
	Typ opakowania SOT-23
	Typ montażu Montaż powierzchniowy
	Liczba styków 3
	Maksymalna rezystancja dren-źródło 42 miliomy
	Tryb kanałowy Rozszerzenie
	Maksymalne napięcie progowe VGS 2V
	Maksymalna strata mocy 720 mW
	Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
	Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
	Materiał tranzystora Si
	Szerokość 1.4mm
	Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 9,2 nC przy 10 V
	Długość 3mm
	Maksymalna temperatura robocza +150°C
	Liczba elementów na układ 1
	Minimalna temperatura robocza -55°C
	Wysokość 1.1mm

Tranzystory MOSFET, Diody Inc.

Powiązane linki