onsemi Dioda TVS Jednokierunkowa 2 Powierzchnia SOT-23 5.32 V 24 W 3-pinowy
- Nr art. RS:
- 463-802P
- Nr części producenta:
- MMBZ5V6ALT1G
- Producent:
- onsemi
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Zobacz ceny hurtoweSuma częściowa 300 sztuk/i (dostarczane na szpuli)*
104,40 zł
(bez VAT)
128,40 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
W magazynie
- 2700 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
- Dodatkowe 3000 szt. dostępne od 12 maja 2027
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 300 - 500 | 0,348 zł |
| 600 - 1100 | 0,331 zł |
| 1200 - 2300 | 0,219 zł |
| 2400 + | 0,208 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 463-802P
- Nr części producenta:
- MMBZ5V6ALT1G
- Producent:
- onsemi
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | onsemi | |
| Kierunkowość | Jednokierunkowa | |
| Typ produktu | Dioda TVS | |
| Konfiguracja diody | Wspólna anoda | |
| Maksymalne napięcie przebicia Vbr | 5.32V | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Typ obudowy | SOT-23 | |
| Maksymalne napięcie wsteczne w trybie zawieszenia Vwm | 3V | |
| Liczba styków | 3 | |
| Szczytowa impulsowa strata mocy Pppm | 24W | |
| Zabezpieczenie antyelektrostatyczne | Tak | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Maksymalny szczytowy prąd impulsowy Ippm | 3A | |
| Prąd testowy It | 20mA | |
| Napięcie zaciskania VC | 8V | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Liczba elementów na układ | 2 | |
| Seria | MMBZ A | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Długość | 3.04mm | |
| Szerokość | 1.4mm | |
| Wysokość | 1.01mm | |
| Norma motoryzacyjna | AEC-Q101 | |
| Maksymalny wsteczny prąd upływowy | 5μA | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka onsemi | ||
Kierunkowość Jednokierunkowa | ||
Typ produktu Dioda TVS | ||
Konfiguracja diody Wspólna anoda | ||
Maksymalne napięcie przebicia Vbr 5.32V | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Typ obudowy SOT-23 | ||
Maksymalne napięcie wsteczne w trybie zawieszenia Vwm 3V | ||
Liczba styków 3 | ||
Szczytowa impulsowa strata mocy Pppm 24W | ||
Zabezpieczenie antyelektrostatyczne Tak | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Maksymalny szczytowy prąd impulsowy Ippm 3A | ||
Prąd testowy It 20mA | ||
Napięcie zaciskania VC 8V | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Liczba elementów na układ 2 | ||
Seria MMBZ A | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Długość 3.04mm | ||
Szerokość 1.4mm | ||
Wysokość 1.01mm | ||
Norma motoryzacyjna AEC-Q101 | ||
Maksymalny wsteczny prąd upływowy 5μA | ||
Podwójny osłabiacz napięcia z tranzystorem Zener 24 W, ON Semiconductor
SOT-23 Nadrzędne wzmocnienia ochrony przed ESD.
Jest on przeznaczony do stosowania w urządzeniach zasilanych napięciem i wrażliwych na wyładowania elektrostatyczne, takich jak komputery, drukarki, urządzenia biznesowe, systemy komunikacyjne, sprzęt medyczny i inne.