Taiwan Semiconductor Dioda TVS Jednokierunkowa 1 Powierzchnia DO-214 33.3 V 600 W 2-pinowy
- Nr art. RS:
- 166-1998
- Nr części producenta:
- SMBJ30A
- Producent:
- Taiwan Semiconductor
Suma częściowa (1 rolka po 3000 sztuk/i)*
1 101,00 zł
(bez VAT)
1 353,00 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
W magazynie
- 18 000 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Na Rolki* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,367 zł | 1 101,00 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 166-1998
- Nr części producenta:
- SMBJ30A
- Producent:
- Taiwan Semiconductor
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Taiwan Semiconductor | |
| Kierunkowość | Jednokierunkowa | |
| Typ produktu | Dioda TVS | |
| Konfiguracja diody | Pojedyncza | |
| Maksymalne napięcie przebicia Vbr | 33.3V | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Typ obudowy | DO-214 | |
| Maksymalne napięcie wsteczne w trybie zawieszenia Vwm | 30V | |
| Liczba styków | 2 | |
| Szczytowa impulsowa strata mocy Pppm | 600W | |
| Maksymalny szczytowy prąd impulsowy Ippm | 12.4A | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Prąd testowy It | 1mA | |
| Napięcie zaciskania VC | 48.4V | |
| Liczba elementów na układ | 1 | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Seria | SMBJ | |
| Szerokość | 3.94mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Wysokość | 2.237mm | |
| Długość | 4.57mm | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Maksymalny wsteczny prąd upływowy | 5μA | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Taiwan Semiconductor | ||
Kierunkowość Jednokierunkowa | ||
Typ produktu Dioda TVS | ||
Konfiguracja diody Pojedyncza | ||
Maksymalne napięcie przebicia Vbr 33.3V | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Typ obudowy DO-214 | ||
Maksymalne napięcie wsteczne w trybie zawieszenia Vwm 30V | ||
Liczba styków 2 | ||
Szczytowa impulsowa strata mocy Pppm 600W | ||
Maksymalny szczytowy prąd impulsowy Ippm 12.4A | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Prąd testowy It 1mA | ||
Napięcie zaciskania VC 48.4V | ||
Liczba elementów na układ 1 | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Seria SMBJ | ||
Szerokość 3.94mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Wysokość 2.237mm | ||
Długość 4.57mm | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
Maksymalny wsteczny prąd upływowy 5μA | ||
- Kraj pochodzenia:
- CN
Przejściowe źródła napięcia SMT Unique 600W, SMBJ, Fairchild Semiconductor
Skrzyżowanie wklęsłe
Szczytowa moc impulsu 600 W
Znakomite możliwości sprzęgania
Niski przyrost oporu
Krótki czas reakcji
Certyfikat UL nr E258596
UL94V-0 Klasyfikacja łatwopalności
Powiązane linki
- Taiwan Semiconductor Dioda TVS Jednokierunkowa 1 Powierzchnia DO-214 33.3 V SMBJ30A 600 W 2-pinowy
- Taiwan Semiconductor Dioda TVS Jednokierunkowa 1 Powierzchnia DO-214 33.3 V SMCJ30A 1.5 kW 2-pinowy
- Littelfuse Dioda TVS Jednokierunkowa 1 Powierzchnia DO-214 33.3 V 600 W 2-pinowy
- Bourns Dioda TVS Jednokierunkowa 1 Powierzchnia DO-214 33.3 V 600 W 2-pinowy
- Littelfuse Dioda TVS Jednokierunkowa 1 Powierzchnia DO-214 33.3 V SMBJ30A 600 W 2-pinowy
- Bourns Dioda TVS Jednokierunkowa 1 Powierzchnia DO-214 33.3 V SMBJ30A 600 W 2-pinowy
- STMicroelectronics Dioda TVS Jednokierunkowa 1 Powierzchnia DO-214 33.3 V 600 W 2-pinowy
- DiodesZetex Dioda TVS Jednokierunkowa 1 Powierzchnia DO-214 33.3 V 600 W 2-pinowy