Taiwan Semiconductor Dioda TVS Jednokierunkowa 3 Powierzchnia DO-218 28.9 V TLD5S26AH 3.6 kW 2-pinowy
- Nr art. RS:
- 216-9537
- Nr części producenta:
- TLD5S26AH
- Producent:
- Taiwan Semiconductor
Suma częściowa (1 opakowanie po 5 sztuk/i)*
36,29 zł
(bez VAT)
44,64 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
Ostatni magazyn RS
- Ostatnie 745 sztuk, gotowe do wysyłki z innej lokalizacji
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 5 + | 7,258 zł | 36,29 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 216-9537
- Nr części producenta:
- TLD5S26AH
- Producent:
- Taiwan Semiconductor
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Taiwan Semiconductor | |
| Kierunkowość | Jednokierunkowa | |
| Typ produktu | Dioda TVS | |
| Konfiguracja diody | Pojedyncza | |
| Maksymalne napięcie przebicia Vbr | 28.9V | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Typ obudowy | DO-218 | |
| Maksymalne napięcie wsteczne w trybie zawieszenia Vwm | 26V | |
| Liczba styków | 2 | |
| Szczytowa impulsowa strata mocy Pppm | 3.6kW | |
| Prąd testowy It | 5mA | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Maksymalny szczytowy prąd impulsowy Ippm | 86A | |
| Napięcie zaciskania VC | 42.1V | |
| Maksymalna temperatura robocza | 175°C | |
| Liczba elementów na układ | 3 | |
| Wysokość | 5.5mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | FBI | |
| Długość | 16mm | |
| Szerokość | 10.5mm | |
| Maksymalny wsteczny prąd upływowy | 150μA | |
| Norma motoryzacyjna | AEC-Q101 | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Taiwan Semiconductor | ||
Kierunkowość Jednokierunkowa | ||
Typ produktu Dioda TVS | ||
Konfiguracja diody Pojedyncza | ||
Maksymalne napięcie przebicia Vbr 28.9V | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Typ obudowy DO-218 | ||
Maksymalne napięcie wsteczne w trybie zawieszenia Vwm 26V | ||
Liczba styków 2 | ||
Szczytowa impulsowa strata mocy Pppm 3.6kW | ||
Prąd testowy It 5mA | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Maksymalny szczytowy prąd impulsowy Ippm 86A | ||
Napięcie zaciskania VC 42.1V | ||
Maksymalna temperatura robocza 175°C | ||
Liczba elementów na układ 3 | ||
Wysokość 5.5mm | ||
Normy/Zatwierdzenia FBI | ||
Długość 16mm | ||
Szerokość 10.5mm | ||
Maksymalny wsteczny prąd upływowy 150μA | ||
Norma motoryzacyjna AEC-Q101 | ||
Diody przeciwprzepięciowe Taiwan Semiconductor, bardziej powszechnie znane jako DIODY TVS, służą do ochrony układów scalonych (układów scalonych). DIODY TVS chronią półprzewodniki i wrażliwe podzespoły przed wysoymi impulsami napięcia nieustalonego (przepięciami).DIODY TVS są dostępne zarówno w pakietach z otworami, jak i do montażu powierzchniowego. Mogą być jednokierunkowe lub dwukierunkowe. Jednokierunkowe DIODY TVS umożliwiają tylko dodatnie lub ujemne napięcie, podczas gdy dwukierunkowe diody mogą działać zarówno przy napięciu dodatnim, jak i ujemnym.
Zgodność z normą AEC-Q101 Zoptymalizowana technologia projektowania elementów biernych połączeń TJ = 175 °C zdolność nadaje się do wysokiej niezawodności i wymagań motoryzacyjnych Poziom czułości na wilgoć 1, zgodnie z J-STD-032
Powiązane linki
- Taiwan Semiconductor Dioda TVS Jednokierunkowa 3 Powierzchnia DO-218 28.9 V 3.6 kW 2-pinowy
- Taiwan Semiconductor Dioda TVS Jednokierunkowa 3 Powierzchnia DO-218 28.9 V 6.6 kW 2-pinowy
- Taiwan Semiconductor Dioda TVS Jednokierunkowa 3 Powierzchnia DO-218 28.9 V TLD8S26AH 6.6 kW 2-pinowy
- Taiwan Semiconductor Dioda TVS Jednokierunkowa 3 Powierzchnia DO-218 15.6 V 3.6 kW 2-pinowy
- Taiwan Semiconductor Dioda TVS Jednokierunkowa 3 Powierzchnia DO-218 14.4 V 3.6 kW 2-pinowy
- Taiwan Semiconductor Dioda TVS Jednokierunkowa 3 Powierzchnia DO-218 13.3 V 3.6 kW 2-pinowy
- Taiwan Semiconductor Dioda TVS Jednokierunkowa 3 Powierzchnia DO-218 12.2 V 3.6 kW 2-pinowy
- Taiwan Semiconductor Dioda TVS Jednokierunkowa 3 Powierzchnia DO-218 11.1 V 3.6 kW 2-pinowy