Taiwan Semiconductor Dioda TVS Dwukierunkowe 1 Powierzchnia DO-214 13.3 V SMBJ12CA 600 W 2-pinowy
- Nr art. RS:
- 485-9474
- Nr części producenta:
- SMBJ12CA
- Producent:
- Taiwan Semiconductor
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Zobacz ceny hurtoweSuma częściowa (1 opakowanie po 10 sztuk/i)*
6,80 zł
(bez VAT)
8,40 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
Ostatni magazyn RS
- Dodatkowe 40 szt. dostępne od 12 października 2026
- Ostatnie 2630 szt. od dnia 19 października 2026
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,68 zł | 6,80 zł |
| 100 - 190 | 0,491 zł | 4,91 zł |
| 200 - 390 | 0,482 zł | 4,82 zł |
| 400 - 990 | 0,468 zł | 4,68 zł |
| 1000 + | 0,459 zł | 4,59 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 485-9474
- Nr części producenta:
- SMBJ12CA
- Producent:
- Taiwan Semiconductor
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Taiwan Semiconductor | |
| Kierunkowość | Dwukierunkowe | |
| Konfiguracja diody | Pojedyncza | |
| Typ produktu | Dioda TVS | |
| Maksymalne napięcie przebicia Vbr | 13.3V | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Typ obudowy | DO-214 | |
| Maksymalne napięcie wsteczne w trybie zawieszenia Vwm | 12V | |
| Liczba styków | 2 | |
| Szczytowa impulsowa strata mocy Pppm | 600W | |
| Prąd testowy It | 1mA | |
| Maksymalny szczytowy prąd impulsowy Ippm | 30.2A | |
| Napięcie zaciskania VC | 19.9V | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Liczba elementów na układ | 1 | |
| Wysokość | 2.45mm | |
| Długość | 4.75mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | FBI | |
| Szerokość | 3.95mm | |
| Seria | SMBJ | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Maksymalny wsteczny prąd upływowy | 5μA | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Taiwan Semiconductor | ||
Kierunkowość Dwukierunkowe | ||
Konfiguracja diody Pojedyncza | ||
Typ produktu Dioda TVS | ||
Maksymalne napięcie przebicia Vbr 13.3V | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Typ obudowy DO-214 | ||
Maksymalne napięcie wsteczne w trybie zawieszenia Vwm 12V | ||
Liczba styków 2 | ||
Szczytowa impulsowa strata mocy Pppm 600W | ||
Prąd testowy It 1mA | ||
Maksymalny szczytowy prąd impulsowy Ippm 30.2A | ||
Napięcie zaciskania VC 19.9V | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Liczba elementów na układ 1 | ||
Wysokość 2.45mm | ||
Długość 4.75mm | ||
Normy/Zatwierdzenia FBI | ||
Szerokość 3.95mm | ||
Seria SMBJ | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
Maksymalny wsteczny prąd upływowy 5μA | ||
Przejściowe zasilacze SMT Bikierunkowy 600W, SMBJ, Fairchild Semiconductor
Skrzyżowanie wklęsłe
Szczytowa moc impulsu 600 W
Znakomite możliwości sprzęgania
Niski przyrost oporu
Krótki czas reakcji
Certyfikat UL nr E258596
UL94V-0 Klasyfikacja łatwopalności
Powiązane linki
- Taiwan Semiconductor Dioda TVS Dwukierunkowe 1 Powierzchnia DO-214 13.3 V 600 W 2-pinowy
- Littelfuse Dioda TVS Dwukierunkowe 1 Powierzchnia DO-214 13.3 V SMBJ12CA 600 W 2-pinowy
- STMicroelectronics Dioda TVS Dwukierunkowe 1 Powierzchnia DO-214 13.3 V SMBJ12CA-TR 600 W 2-pinowy
- DiodesZetex Dioda TVS Dwukierunkowe 1 Powierzchnia DO-214 13.3 V SMBJ12CA-13-F 600 W 2-pinowy
- Taiwan Semiconductor Dioda TVS Dwukierunkowe 1 Powierzchnia DO-214 13.3 V 1.5 kW 2-pinowy
- Taiwan Semiconductor Dioda TVS Dwukierunkowe 1 Powierzchnia DO-214 13.3 V SMCJ12CA 1.5 kW 2-pinowy
- Littelfuse Dioda TVS Dwukierunkowe 1 Powierzchnia DO-214 13.3 V 600 W 2-pinowy
- STMicroelectronics Dioda TVS Dwukierunkowe 1 Powierzchnia DO-214 13.3 V 600 W 2-pinowy