Taiwan Semiconductor Dioda TVS Jednokierunkowa 1 Powierzchnia DO-214 6.4 V SMBJ5V0A 600 W 2-pinowy
- Nr art. RS:
- 761-3748
- Nr części producenta:
- SMBJ5V0A
- Producent:
- Taiwan Semiconductor
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Zobacz ceny hurtoweSuma częściowa (1 opakowanie po 25 sztuk/i)*
28,50 zł
(bez VAT)
35,00 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
Ostatni magazyn RS
- 75 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
- Ostatnie 175 szt. od dnia 16 października 2026
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 1,14 zł | 28,50 zł |
| 250 - 725 | 0,80 zł | 20,00 zł |
| 750 - 1475 | 0,646 zł | 16,15 zł |
| 1500 - 2975 | 0,569 zł | 14,23 zł |
| 3000 + | 0,555 zł | 13,88 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 761-3748
- Nr części producenta:
- SMBJ5V0A
- Producent:
- Taiwan Semiconductor
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Taiwan Semiconductor | |
| Kierunkowość | Jednokierunkowa | |
| Konfiguracja diody | Pojedyncza | |
| Typ produktu | Dioda TVS | |
| Maksymalne napięcie przebicia Vbr | 6.4V | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Typ obudowy | DO-214 | |
| Maksymalne napięcie wsteczne w trybie zawieszenia Vwm | 5V | |
| Liczba styków | 2 | |
| Szczytowa impulsowa strata mocy Pppm | 600W | |
| Napięcie zaciskania VC | 9.2V | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Prąd testowy It | 10mA | |
| Maksymalny szczytowy prąd impulsowy Ippm | 65.2A | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Liczba elementów na układ | 1 | |
| Szerokość | 3.95mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | FBI | |
| Długość | 4.75mm | |
| Seria | SMBJ | |
| Wysokość | 2.15mm | |
| Maksymalny wsteczny prąd upływowy | 800μA | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Taiwan Semiconductor | ||
Kierunkowość Jednokierunkowa | ||
Konfiguracja diody Pojedyncza | ||
Typ produktu Dioda TVS | ||
Maksymalne napięcie przebicia Vbr 6.4V | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Typ obudowy DO-214 | ||
Maksymalne napięcie wsteczne w trybie zawieszenia Vwm 5V | ||
Liczba styków 2 | ||
Szczytowa impulsowa strata mocy Pppm 600W | ||
Napięcie zaciskania VC 9.2V | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Prąd testowy It 10mA | ||
Maksymalny szczytowy prąd impulsowy Ippm 65.2A | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Liczba elementów na układ 1 | ||
Szerokość 3.95mm | ||
Normy/Zatwierdzenia FBI | ||
Długość 4.75mm | ||
Seria SMBJ | ||
Wysokość 2.15mm | ||
Maksymalny wsteczny prąd upływowy 800μA | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
Przejściowe źródła napięcia SMT Unique 600W, SMBJ, Fairchild Semiconductor
Skrzyżowanie wklęsłe
Szczytowa moc impulsu 600 W
Znakomite możliwości sprzęgania
Niski przyrost oporu
Krótki czas reakcji
Certyfikat UL nr E258596
UL94V-0 Klasyfikacja łatwopalności
Powiązane linki
- Taiwan Semiconductor Dioda TVS Jednokierunkowa 1 Powierzchnia DO-214 6.4 V 600 W 2-pinowy
- Taiwan Semiconductor Dioda TVS Dwukierunkowe 1 Powierzchnia DO-214 6.4 V 600 W 2-pinowy
- Taiwan Semiconductor Dioda TVS Dwukierunkowe 1 Powierzchnia DO-214 6.4 V SMBJ5V0CA 600 W 2-pinowy
- Taiwan Semiconductor Dioda TVS Jednokierunkowa 1 Powierzchnia DO-214 24.4 V 600 W 2-pinowy
- Taiwan Semiconductor Dioda TVS Jednokierunkowa 1 Powierzchnia DO-214 44.4 V 600 W 2-pinowy
- Taiwan Semiconductor Dioda TVS Jednokierunkowa 1 Powierzchnia DO-214 33.3 V 600 W 2-pinowy
- Taiwan Semiconductor Dioda TVS Jednokierunkowa 1 Powierzchnia DO-214 133 V 600 W 2-pinowy
- Taiwan Semiconductor Dioda TVS Jednokierunkowa 1 Powierzchnia DO-214 60 V 600 W 2-pinowy