onsemi Układ diod TVS Jednokierunkowa 4 Powierzchnia SOIC 5 V SRDA3.3-4DR2G 500 W 8-pinowy
- Nr art. RS:
- 786-4599P
- Nr części producenta:
- SRDA3.3-4DR2G
- Producent:
- onsemi
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Zobacz ceny hurtoweSuma częściowa 50 sztuk/i (dostarczane w postaci ciągłej taśmy)*
174,40 zł
(bez VAT)
214,50 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
W magazynie
- Dodatkowe 2105 szt. dostępne od 12 października 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 50 - 95 | 3,488 zł |
| 100 - 495 | 3,022 zł |
| 500 - 995 | 2,658 zł |
| 1000 + | 2,42 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 786-4599P
- Nr części producenta:
- SRDA3.3-4DR2G
- Producent:
- onsemi
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | onsemi | |
| Konfiguracja diody | Matryca złożona | |
| Typ produktu | Układ diod TVS | |
| Kierunkowość | Jednokierunkowa | |
| Maksymalne napięcie przebicia Vbr | 5V | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Typ obudowy | SOIC | |
| Maksymalne napięcie wsteczne w trybie zawieszenia Vwm | 3.3V | |
| Liczba styków | 8 | |
| Szczytowa impulsowa strata mocy Pppm | 500W | |
| Zabezpieczenie antyelektrostatyczne | Tak | |
| Maksymalny szczytowy prąd impulsowy Ippm | 10A | |
| Prąd testowy It | 1mA | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Napięcie zaciskania VC | 15V | |
| Liczba elementów na układ | 4 | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Długość | 5mm | |
| Szerokość | 4mm | |
| Wysokość | 1.5mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Maksymalny wsteczny prąd upływowy | 5μA | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka onsemi | ||
Konfiguracja diody Matryca złożona | ||
Typ produktu Układ diod TVS | ||
Kierunkowość Jednokierunkowa | ||
Maksymalne napięcie przebicia Vbr 5V | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Typ obudowy SOIC | ||
Maksymalne napięcie wsteczne w trybie zawieszenia Vwm 3.3V | ||
Liczba styków 8 | ||
Szczytowa impulsowa strata mocy Pppm 500W | ||
Zabezpieczenie antyelektrostatyczne Tak | ||
Maksymalny szczytowy prąd impulsowy Ippm 10A | ||
Prąd testowy It 1mA | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Napięcie zaciskania VC 15V | ||
Liczba elementów na układ 4 | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Długość 5mm | ||
Szerokość 4mm | ||
Wysokość 1.5mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Maksymalny wsteczny prąd upływowy 5μA | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||