onsemi Układ diod TVS Jednokierunkowa 4 Powierzchnia SOIC 6 V NUP4201DR2G 500 W 8-pinowy
- Nr art. RS:
- 802-4180
- Nr części producenta:
- NUP4201DR2G
- Producent:
- onsemi
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Zobacz ceny hurtoweSuma częściowa (1 opakowanie po 10 sztuk/i)*
29,48 zł
(bez VAT)
36,26 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 17 marca 2027
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 2,948 zł | 29,48 zł |
| 100 - 240 | 2,543 zł | 25,43 zł |
| 250 - 490 | 2,246 zł | 22,46 zł |
| 500 - 990 | 2,187 zł | 21,87 zł |
| 1000 + | 2,133 zł | 21,33 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 802-4180
- Nr części producenta:
- NUP4201DR2G
- Producent:
- onsemi
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | onsemi | |
| Typ produktu | Układ diod TVS | |
| Konfiguracja diody | Matryca złożona | |
| Kierunkowość | Jednokierunkowa | |
| Maksymalne napięcie przebicia Vbr | 6V | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Typ obudowy | SOIC | |
| Liczba styków | 8 | |
| Szczytowa impulsowa strata mocy Pppm | 500W | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Prąd testowy It | 1mA | |
| Napięcie zaciskania VC | 25V | |
| Zabezpieczenie antyelektrostatyczne | Tak | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Liczba elementów na układ | 4 | |
| Wysokość | 1.5mm | |
| Długość | 5mm | |
| Szerokość | 4mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Maksymalny wsteczny prąd upływowy | 10μA | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka onsemi | ||
Typ produktu Układ diod TVS | ||
Konfiguracja diody Matryca złożona | ||
Kierunkowość Jednokierunkowa | ||
Maksymalne napięcie przebicia Vbr 6V | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Typ obudowy SOIC | ||
Liczba styków 8 | ||
Szczytowa impulsowa strata mocy Pppm 500W | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Prąd testowy It 1mA | ||
Napięcie zaciskania VC 25V | ||
Zabezpieczenie antyelektrostatyczne Tak | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Liczba elementów na układ 4 | ||
Wysokość 1.5mm | ||
Długość 5mm | ||
Szerokość 4mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
Maksymalny wsteczny prąd upływowy 10μA | ||
Przejściowe źródła napięcia do ochrony przed ESD danych o wysokiej prędkości
Przejściowe źródła napięcia, ON Semiconductor
Powiązane linki
- onsemi Układ diod TVS Jednokierunkowa 4 Powierzchnia SOIC 6 V 500 W 8-pinowy
- onsemi Układ diod TVS Jednokierunkowa 4 Powierzchnia SOIC 6 V SRDA05-4R2G 500 W 8-pinowy
- onsemi Układ diod TVS Jednokierunkowa 4 Powierzchnia SOIC 5 V 500 W 8-pinowy
- onsemi Układ diod TVS Jednokierunkowa 4 Powierzchnia SOIC 5 V SRDA3.3-4DR2G 500 W 8-pinowy
- onsemi Układ diod TVS Jednokierunkowa 2 Powierzchnia TSOP 6 V 500 W 6-pinowy
- onsemi Układ diod TVS Jednokierunkowa 2 Powierzchnia TSOP 6 V NUP2201MR6T1G 500 W 6-pinowy
- onsemi Układ diod TVS Jednokierunkowa 2 Powierzchnia SOT-363 6 V 500 W 6-pinowy
- onsemi Układ diod TVS Jednokierunkowa 4 Powierzchnia SOT-363 6 V 500 W 6-pinowy