SSD MTE452T2 M.2 128 Gb, Wewnętrzny, Transcend TLC 75 °C -20 °C

Suma częściowa (1 sztuka)*

1 182,06 zł

(bez VAT)

1 453,93 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 4 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
1 +1 182,06 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
240-5420
Nr części producenta:
TS128GMTE452T2
Producent:
Transcend
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Transcend

Rozmiar pamięci

128Gb

Numer modelu

MTE452T2

Typ podrzędny

2242-D2-B-M (dwustronny)

Typ produktu

SSD

Wewnętrzne/zewnętrzne

Wewnętrzny

Wielkość

M.2

Nadaje Się Do Zastosowań Przemysłowych

Nie

Typ NAND

TLC

Samozniszczenie

Nie

Typ złącza

PCIe Gen 3.0 x4 NVMe

Maksymalna temperatura robocza

75°C

Minimalna temperatura robocza

-20°C

Wysokość

3.58mm

Szerokość

22mm

Normy/Zatwierdzenia

BSMI, CE, FCC

Długość

42mm

Kraj pochodzenia:
TW

Dysk półprzewodnikowy Transcend, pojemność 128 GB, interfejs PCIe NVMe Gen 3 x 2 - TS128GMTE452T2


Ten dysk półprzewodnikowy to wysokowydajny wewnętrzny dysk SSD M.2 zaprojektowany z myślą o wydajnych rozwiązaniach pamięci masowej. Kompaktowy rozmiar 42 x 22 x 3,58 mm i lekka konstrukcja o wadze zaledwie 5 g sprawiają, że idealnie nadaje się do różnych zastosowań bez poświęcania wydajności. Dzięki pojemności 128 GB zawiera zaawansowane technologie, które zapewniają szybki transfer danych i niezawodność.

Cechy i zalety


• Wykorzystuje interfejs PCIe NVMe Gen 3 x2 dla większych prędkości

• Zapewnia prędkość odczytu do 1700 MB/s dla szybkiego dostępu do danych

• Wyposażony w technologię 3D TLC NAND dla zwiększenia wydajności

• Wbudowana pamięć podręczna DRAM zapewnia lepszą wydajność

• Wytrzymuje do 3000 cykli programowania/kasowania, zapewniając długą żywotność

• Działa niezawodnie w temperaturach od -20°C do 75°C

Zastosowania


• Wykorzystywane w systemach automatyki wymagających szybkiego przetwarzania danych

• Idealny do urządzeń elektronicznych wymagających niezawodnego, kompaktowego rozwiązania SSD

• Nadaje się do zastosowań mechanicznych wymagających trwałych opcji przechowywania

• Skuteczny w urządzeniach elektrycznych, które korzystają z szybkiej pamięci masowej

Jaką technologię pamięci masowej wykorzystuje ten dysk w celu zwiększenia wydajności?


Dysk ten wykorzystuje technologię 3D TLC NAND, pozwalającą na wyższą wydajność z ułożonymi w stos komórkami pamięci, co skutkuje lepszymi możliwościami przechowywania danych.

W jaki sposób odporność temperaturowa tego dysku SSD wpływa na jego zastosowania?


Zakres temperatur pracy od -20°C do 75°C zapewnia stabilność i niezawodność w różnych środowiskach, dzięki czemu nadaje się do wymagających zastosowań przemysłowych.

Jakich prędkości transferu danych można oczekiwać od tego dysku SSD?


Dysk jest w stanie osiągnąć sekwencyjne prędkości odczytu do 1700 MB/s i zapisu do 1250 MB/s, znacznie zwiększając wydajność obsługi danych.

W jaki sposób wbudowana pamięć podręczna DRAM wpływa na wydajność?


Wbudowana pamięć podręczna DRAM umożliwia szybszy dostęp do często używanych danych, co minimalizuje opóźnienia i zwiększa ogólną szybkość reakcji systemu podczas intensywnych operacji.

Jaka jest oczekiwana żywotność tego dysku SSD pod względem cykli zapisu?


Oferuje wytrzymałość na poziomie 3000 cykli programowania/kasowania, dzięki czemu doskonale nadaje się do zadań wymagających częstego zapisywania i kasowania danych.

Powiązane linki