SSD MSA452T2 mSATA 256 GB, Wewnętrzny, Transcend TLC 75 °C -20 °C

Suma częściowa (1 sztuka)*

1 389,42 zł

(bez VAT)

1 708,99 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Niedobór dostaw
Ze względu na ograniczenia w łańcuchu dostaw, zamówienia są realizowane w miarę dostępności artykułów.
Produkty
Za jednostkę
1 +1 389,42 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
240-5477
Nr części producenta:
TS256GMSA452T2
Producent:
Transcend
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Transcend

Typ podrzędny

SSD

Numer modelu

MSA452T2

Typ produktu

SSD

Rozmiar pamięci

256GB

Wewnętrzne/zewnętrzne

Wewnętrzny

Nadaje Się Do Zastosowań Przemysłowych

Nie

Wielkość

mSATA

Typ NAND

TLC

Typ złącza

SATA III

Minimalna temperatura robocza

-20°C

Maksymalna temperatura robocza

75°C

Wysokość

4.85mm

Szerokość

29.85 mm

Normy/Zatwierdzenia

CE

Długość

50.8mm

Kraj pochodzenia:
TW

Dysk półprzewodnikowy Transcend, pojemność 256 GB, interfejs SATA III 6 Gb/S - TS256GMSA452T2


Ten dysk półprzewodnikowy jest przeznaczony do wysokowydajnych zastosowań wewnętrznych. Oferując kompaktową obudowę mSATA, ma wymiary 50,8 mm x 29,85 mm x 4,85 mm i waży zaledwie 8 g, co czyni go idealnym wyborem dla urządzeń przenośnych o ograniczonej przestrzeni, takich jak Ultrabooki i smukłe serwery. Wykorzystując wydajną technologię 3D NAND, dysk zapewnia zwiększoną trwałość i wydajność.

Cechy i zalety


• Zapewnia prędkość odczytu do 560 MB/s dla szybkiego dostępu do danych

• Lekka konstrukcja optymalizuje przenośność i łatwość instalacji

• Wykorzystuje wbudowaną pamięć podręczną DRAM do płynnej obsługi danych

• Rozszerzony zakres temperatur pracy od -20°C do 75°C zapewnia niezawodność

• Wytrzymałość na poziomie 3 tys. cykli programowania/kasowania zapewnia stałą wydajność

• Wykorzystuje zaawansowane polecenia bezpieczeństwa dla lepszej ochrony danych

Zastosowania


• Używany z Ultrabookami w celu wydłużenia czasu uruchamiania i ładowania

• Idealny dla tabletów wymagających szybkiego dostępu do

• Odpowiedni dla smukłych serwerów wymagających niezawodnych rozwiązań pamięci masowej

• Kompatybilność z różnymi urządzeniami automatyki przemysłowej i elektroniki

Jaki jest wpływ technologii 3D NAND na wydajność pamięci masowej?


Technologia 3D NAND optymalizuje przestrzeń dyskową poprzez układanie komórek pamięci pionowo, umożliwiając zwiększenie gęstości bez zwiększania zajmowanej powierzchni, poprawiając w ten sposób zarówno wydajność, jak i efektywność zarządzania danymi.

Jak zakres temperatur roboczych wpływa na niezawodność działania?


Rozszerzony zakres roboczy od -20°C do 75°C zapewnia niezawodne działanie w różnych środowiskach, co ma kluczowe znaczenie dla użytkowników w warunkach przemysłowych, w których mogą występować wahania temperatury.

Jakiej wydajności można oczekiwać pod względem IOPS?


Urządzenie jest w stanie osiągnąć do 95 000 IOPS dla losowych odczytów 4K, co przekłada się na zwiększoną szybkość reakcji w aplikacjach intensywnie przetwarzających dane.

Jakie konkretne zalety oferuje wbudowana pamięć podręczna DRAM?


Wbudowana pamięć podręczna DRAM pozwala na szybsze pobieranie danych i poprawę szybkości przetwarzania, znacznie zwiększając ogólną wydajność systemu podczas operacji wielozadaniowych.

Jak ocena wytrzymałości przekłada się na rzeczywiste użytkowanie?


Dzięki wytrzymałości na poziomie 3 tys. cykli programowania/kasowania, urządzenie zostało zaprojektowane z myślą o intensywnych zadaniach, dzięki czemu nadaje się do zastosowań wymagających częstych operacji odczytu i zapisu, zapewniając tym samym długoterminową niezawodność.

Powiązane linki