SSD MTE710T M.2 512 GB, Wewnętrzny Nadaje Się Do Zastosowań Przemysłowych, Transcend 3D NAND 70 °C 0 °C

Zobacz wszystkie Dyski SSD

Suma częściowa (1 sztuka)*

2 809,76 zł

(bez VAT)

3 456,00 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • 3 szt. dostępne od 08 maja 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
1 +2 809,76 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
245-0076
Nr części producenta:
TS512GMTE710T
Producent:
Transcend
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Transcend

Typ produktu

SSD

Typ podrzędny

SSD

Numer modelu

MTE710T

Rozmiar pamięci

512Gb

Wewnętrzne/zewnętrzne

Wewnętrzny

Wielkość

M.2

Nadaje Się Do Zastosowań Przemysłowych

Tak

Typ NAND

3D NAND

Typ złącza

NVMe PCIe Gen 4 x4

Maksymalna temperatura robocza

70°C

Minimalna temperatura robocza

0°C

Wysokość

3.58mm

Długość

80mm

Szerokość

22mm

Normy/Zatwierdzenia

CE, FCC, BSMI

Kraj pochodzenia:
TW

Dysk półprzewodnikowy Transcend, pojemność 512 GB, interfejs NVMe PCIe Gen 4 x 4 - TS512GMTE710T


Ten dysk półprzewodnikowy to wysokowydajne rozwiązanie pamięci masowej przeznaczone do użytku wewnętrznego w laptopach i innych urządzeniach. Ma on pojemność 512 GB i wykorzystuje zaawansowaną technologię 3D NAND zapewniającą doskonałą wydajność. Przy wymiarach 80 mm x 22 mm x 3,58 mm zapewnia kompaktową konstrukcję odpowiednią do różnych zastosowań.

Cechy i zalety


• Osiąga szybkie prędkości odczytu do 3800 MB/s

• Oferuje prędkości zapisu sięgające 3200 MB/s dla szybkiego transferu danych

• Wykorzystuje interfejs PCIe Gen 4 x4 dla lepszej przepustowości

• Odporność na temperaturę od -40 °C do 85 °C

• Zintegrowana pamięć podręczna DDR4 DRAM zapewniająca krótszy czas dostępu

• Wyposażony w technologię LDPC ECC zapewniającą integralność danych

Zastosowania


• Używany z systemami automatyki przemysłowej do szybkiego przetwarzania danych

• Nadaje się do elektroniki o wysokim zapotrzebowaniu, wymagającej szybkiego odzyskiwania danych

• Idealny do konstrukcji mechanicznych wymagających niezawodnego przechowywania

• Zwiększa wydajność w zadaniach inżynierii elektrycznej z intensywną obsługą danych

Jakie zalety oferuje dysk półprzewodnikowy w zastosowaniach przemysłowych?


Dysk półprzewodnikowy doskonale sprawdza się w środowiskach przemysłowych dzięki rozszerzonemu zakresowi temperatur, zapewniając stałą wydajność w ekstremalnych warunkach. Jego wysoka wytrzymałość pozwala na wykonywanie wielu cykli programowania/kasowania, dzięki czemu nadaje się do zastosowań krytycznych.

W jaki sposób technologia 3D NAND poprawia wydajność przechowywania danych?


technologia 3D NAND umożliwia większą gęstość pamięci masowej w porównaniu z tradycyjnymi architekturami poprzez układanie wielu warstw komórek pamięci, co znacznie zwiększa wydajność i szybkość, co ma zasadnicze znaczenie dla wymagających zadań.

Czy ten dysk SSD można zintegrować z istniejącymi systemami komputerowymi?


Wewnętrzny dysk SSD jest zgodny ze specyfikacją NVM Express (NVMe) i nadaje się do wielu nowoczesnych systemów, zapewniając bezproblemową integrację z obecnymi konfiguracjami sprzętowymi zaprojektowanymi z myślą o wysokowydajnej pamięci masowej.

Powiązane linki