STMicroelectronics EEPROM M24256E-UFMN6TP Montaż powierzchniowy 256 kB 8-pinowy SO-8 32 K x 8 bit I2C

Suma częściowa (1 rolka po 2500 sztuk/i)*

2 402,50 zł

(bez VAT)

2 955,00 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • Dostępne od 29 czerwca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Na Rolki*
2500 +0,961 zł2 402,50 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
711-486
Nr części producenta:
M24256E-UFMN6TP
Producent:
STMicroelectronics
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

STMicroelectronics

Typ produktu

EEPROM

Rozmiar pamięci

256kB

Typ złącza

I2C

Typ obudowy

SO-8

Typ montażu

Montaż powierzchniowy

Liczba styków

8

Maksymalna częstotliwość zegara

1MHz

Minimalne napięcie zasilania

1.6V

Liczba bitów w słowie

8

Maksymalne napięcie zasilania

5.5V

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Seria

M24256E-U

Normy/Zatwierdzenia

RoHS

Długość

6mm

Wysokość

1.7mm

Prąd zasilania

1mA

Liczba słów

4096

Przechowywanie danych

200year

Kraj pochodzenia:
CN
256-kbitowa pamięć programowalna EEPROM (elektrycznie kasowalna pamięć programowalna) zgodna z I2C firmy STMicroelectronics zorganizowana w formacie 32 K x 8 bitów. Może pracować przy napięciu zasilania od 1,65 V do 5,5 V z częstotliwością zegara do 1 MHz, w temperaturze otoczenia od -40°C do +85°C. Może również pracować do 1,6 V w niektórych restrykcyjnych warunkach. Urządzenie oferuje dodatkowy 8-bitowy rejestr, zwany rejestr adresu konfigurowalnego urządzenia (CDA). Ta strona upoważnia użytkownika, za pośrednictwem oprogramowania, do konfiguracji maksymalnie ośmiu możliwych adresów aktywacji układu.

Zwiększona ochrona ESD/latch-up

Ponad 4 miliony cykli zapisu

Ponad 200-letnie przechowywanie danych

Szybki czas przebudzenia krótszy niż 5 μs

Konfigurowalny rejestr adresu urządzenia

Wstępnie zaprogramowany adres urządzenia

Sprzętowa ochrona przed zapisem całej macierzy pamięci

Tryby odczytu losowego i sekwencyjnego