Microchip EEPROM AT21CS11-MSH10-T Powierzchnia 1 kB 2-pinowy XSFN 1K x 8 bitów Szeregowy-1 przewód, Szeregowy-1 przewód
- Nr art. RS:
- 171-7826P
- Nr części producenta:
- AT21CS11-MSH10-T
- Producent:
- Microchip
Obecnie niedostępne
Przepraszamy, nie mamy informacji, czy ten produkt będzie jeszcze dostępny w magazynie. Zostanie on wkrótce usunięty z oferty RS.
- Nr art. RS:
- 171-7826P
- Nr części producenta:
- AT21CS11-MSH10-T
- Producent:
- Microchip
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Microchip | |
| Typ produktu | EEPROM | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Rozmiar pamięci | 1 kB | |
| Liczba styków | 2 | |
| Typ obudowy | XSFN | |
| Organizacja | 1K x 8 bitów | |
| Typ złącza | Szeregowy-1 przewód, Szeregowy-1 przewód | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Przechowywanie danych | 100 year | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85 °C | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 4.5 V | |
| Minimalna temperatura robocza | -40 °C | |
| Minimalne napięcie zasilania | 2.7 V | |
| Liczba bitów w słowie | 8 | |
| Liczba słów | 128 | |
| Seria | AT21CS11 | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Prąd zasilania | 500 μA | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Microchip | ||
Typ produktu EEPROM | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Rozmiar pamięci 1 kB | ||
Liczba styków 2 | ||
Typ obudowy XSFN | ||
Organizacja 1K x 8 bitów | ||
Typ złącza Szeregowy-1 przewód, Szeregowy-1 przewód | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
Przechowywanie danych 100 year | ||
Maksymalna temperatura robocza 85 °C | ||
Maksymalne napięcie zasilania 4.5 V | ||
Minimalna temperatura robocza -40 °C | ||
Minimalne napięcie zasilania 2.7 V | ||
Liczba bitów w słowie 8 | ||
Liczba słów 128 | ||
Seria AT21CS11 | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Prąd zasilania 500 μA | ||
The Microchip AT21CS11 is a 1 Kb Serial EEPROM utilizing the Single-Wire bus. Only two pins are needed to access the device: SI/O and GND. The SI/O signal is a combination data and power line, providing power to the device with a parasitic power scheme. The device is organized as one Block of 128 x 8 and is optimized for use in consumer and industrial applications where reliable and dependable nonvolatile memory storage is essential.
128 x 8 (1 Kbit)
Single-Wire Compatible
I²C Protocol Structure
Communication through a single I/O pin
High Speed (125 kbps) Mode
Self-Timed Erase and Write Cycles (5 MS max.)
Low Power Consumption
Software Write Protection
Four independent 256-bit zones
More than 1 million erase/write cycles