STMicroelectronics EEPROM Powierzchnia 128 kB 8-pinowy 450 ns UFDFPN 16k x 8 Bit Szeregowa-I2C

Zobacz wszystkie EEPROM

Suma częściowa (1 rolka po 5000 sztuk/i)*

5 375,00 zł

(bez VAT)

6 610,00 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 5000 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Na Rolki*
5000 +1,075 zł5 375,00 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
190-6757
Nr części producenta:
M24128-BFMC6TG
Producent:
STMicroelectronics
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

STMicroelectronics

Typ produktu

EEPROM

Rozmiar pamięci

128kB

Typ złącza

Szeregowa-I2C

Typ obudowy

UFDFPN

Typ montażu

Powierzchnia

Liczba styków

8

Organizacja

16k x 8 Bit

Maksymalna częstotliwość zegara

1MHz

Minimalne napięcie zasilania

1.7V

Maksymalne napięcie zasilania

5.5V

Liczba bitów w słowie

8

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Długość

1.8mm

Szerokość

1.5 mm

Normy/Zatwierdzenia

No

Przechowywanie danych

200year

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100

Prąd zasilania

2.5mA

Maksymalny czas dostępu swobodnego

450ns

M24128 to 128-kilobitowa pamięć programowalna EEPROM zgodna ze standardem I2C (Electrically Erasable Programmable Memory - programowalna pamięć wymazywalna elektrycznie) o pojemności 16 K x 8 bitów. Monitor M24128-BW może pracować przy napięciu zasilania od 2,5 V do 5,5 V, a przełącznik M24128-BR może pracować przy napięciu zasilania

Zgodność ze wszystkimi trybami magistrali I2C:

1 MHz

400 kHz

100 kHz

Macierz pamięci:

128 kb (16 kilobajtów) pamięci EEPROM

Rozmiar strony: 64 bajty

Dodatkowa zablokowana strona zapisu

Pojedyncze napięcie zasilania i wysoka prędkość:

Zegar 1 MHz od 1,7 V do 5,5 V.

Napisz:

Bajt zapis w ciągu 5 ms

Zapis strony w ciągu 5 ms

Zakres temperatury pracy:

Od -40 °C do +85 °C.

Tryby odtwarzania losowego i sekwencyjnego

Ochrona przed zapisem całej macierzy pamięci

Ulepszona ochrona przed ESD/podtrzymaniem

Ponad 4 miliony cykli zapisu

Ponad 200 lat przechowywania danych

Opakowania

SO8

TSSOP8

UFDFPN8

WLCSP

UFDFPN5

Nieprzepiłowana płytka (każda matryca jest testowana)

Powiązane linki