STMicroelectronics EEPROM Powierzchnia 512 kB 8-pinowy 40 ns SO-8 65536 x 8 bit Szeregowa-SPI

Zobacz wszystkie EEPROM

Suma częściowa (1 rolka po 2500 sztuk/i)*

5 455,00 zł

(bez VAT)

6 710,00 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • Dostępne od 20 marca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Na Rolki*
2500 +2,182 zł5 455,00 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
196-1991
Nr części producenta:
M95512-WMN6TP
Producent:
STMicroelectronics
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

STMicroelectronics

Typ produktu

EEPROM

Rozmiar pamięci

512kB

Typ złącza

Szeregowa-SPI

Typ obudowy

SO-8

Typ montażu

Powierzchnia

Liczba styków

8

Maksymalna częstotliwość zegara

16MHz

Organizacja

65536 x 8 bit

Minimalne napięcie zasilania

2.5V

Maksymalne napięcie zasilania

5.5V

Liczba bitów w słowie

8

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Normy/Zatwierdzenia

RoHS 2011/65/EU

Długość

5mm

Szerokość

150 mm

Wysokość

1.75mm

Seria

M95512

Przechowywanie danych

200year

Liczba słów

65536

Prąd zasilania

5mA

Maksymalny czas dostępu swobodnego

40ns

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100

Kraj pochodzenia:
CN
Urządzenia M95512 są elektrycznie Kasowanymi programowalnymi Pamięciami (EPROM), zorganizowanymi jako 65536 x 8 bitów, do których dostęp jest możliwy przez magistralę SPI.

M95512-w może pracować przy napięciu zasilania od 2,5 V do 5,5 V, M95512-R może działać przy napięciu zasilania od 1,8 V do 5,5 V, a M95512-DF może działać przy napięciu zasilania od 1,7 V do 5,5 V, W zakresie temperatur otoczenia -40 °C / +85 °C.

Zgodność z magistralą interfejsu szeregowego (SPI)

Macierz pamięci

512 KB pamięci EEPROM (64 KB)

Rozmiar strony: 128 bajtów

Zapis

Zapis bajtów w ciągu 5 ms

Zapis strony w ciągu 5 ms

Dodatkowa blokowana strona zapisu (strona identyfikacji)

Ochrona przed zapisem: Ćwiartka, połowa lub cała macierz pamięci

Szybki zegar: 16 MHz.

Pojedyncze napięcie zasilania:

Od 2,5 V do 5,5 V dla M95512-W.

1,8 V do 5,5 V dla M95512-r.

1,7 V do 5,5 V dla M95512-DF

Zakres temperatur pracy: od -40 °C do +85 °C

Lepsza ochrona przed ESD

Ponad 4 miliony cykli zapisu

Zachowanie danych na ponad 20 lat

Pakiety:

SO8

TSSOP8

UFDFPN8

WLCSP

Powiązane linki