Specyfikacje

Informacje techniczne

Atesty i certyfikaty

Szczegółowe dane produktu

Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.

Zaznacz wszystkie	Atrybut	Wartość
	Marka	onsemi
	Typ produktu	Fotodioda
	Wykryte spektrum	Podczerwień
	Długość fali dla szczytowej czułości	970nm
	Typ obudowy	SMT
	Typ montażu	Montaż powierzchniowy
	Opakowanie	Taśma i szpula
	Liczba styków	4
	Minimalna wykrywana długość fali	200nm
	Maksymalna wykrywana długość fali	900nm
	Typowy czas opadania sygnału	0.6ns
	Wzmocnione	Nie
	Minimalna temperatura robocza	-25°C
	Maksymalna temperatura robocza	85°C
	Szerokość	3.16 mm
	Wysokość	0.46mm
	Normy/Zatwierdzenia	RoHS
	Długość	3.16mm
	Kąt połówkowej czułości	65 °
	Prąd ciemny	1nA
	Typowy czas narastania sygnału	0.6ns
	Biegunowość	Do PRZODU
	Napięcie przebicia	24.7V
	Seria	J
	Norma motoryzacyjna	Nie

	Zaznacz wszystkie
	Marka onsemi
	Typ produktu Fotodioda
	Wykryte spektrum Podczerwień
	Długość fali dla szczytowej czułości 970nm
	Typ obudowy SMT
	Typ montażu Montaż powierzchniowy
	Opakowanie Taśma i szpula
	Liczba styków 4
	Minimalna wykrywana długość fali 200nm
	Maksymalna wykrywana długość fali 900nm
	Typowy czas opadania sygnału 0.6ns
	Wzmocnione Nie
	Minimalna temperatura robocza -25°C
	Maksymalna temperatura robocza 85°C
	Szerokość 3.16 mm
	Wysokość 0.46mm
	Normy/Zatwierdzenia RoHS
	Długość 3.16mm
	Kąt połówkowej czułości 65 °
	Prąd ciemny 1nA
	Typowy czas narastania sygnału 0.6ns
	Biegunowość Do PRZODU
	Napięcie przebicia 24.7V
	Seria J
	Norma motoryzacyjna Nie

Mikrokomórki o dużej gęstości

Czujniki serii J posiadają unikalne terminal "fast output" firmy Semiconductor

Stabilność temperatury 21,5 mV/°C.

Wyjątkowa jednorodność napięcia przebicia ±250 mV

Dostępny w zestawie ze skalą chipową przystosowanym do lutowania całkowitego ze stali stopowej TSV

Bardzo niska częstotliwość odświeżania w ciemności: Typowo 50 kHz/mm2

Zoptymalizowany do zastosowań wymagających wysokiej wydajności czasowej, takich jak TOF-PET

Rozmiary czujników 3 mm, 4 mm i 6 mm

Napięcie wstępne 30< V.

Powoduje 50% skuteczność wykrywania fotonów (PDE) przy 420 nm

Wydłużony czas narastania sygnału i czas powrotu mikrokomórek

Neguje potrzebę aktywnego sterowania napięciem

Wiodąca w branży jednolitość

Pakiet TSV daje niemal zerową przestrzeń martwą, umożliwiając tworzenie tablic wysokiego współczynnika wypełnienia i jest wolny od metali żelaznych

Zastosowania

Obrazowanie medyczne

Zagrożenia i zagrożenia

Dopasowywanie i wykrywanie obrazu 3D.

Biotronics & Sciences

Fizyka wysokich energii

Fotodioda Podczerwień 65 ° Montaż powierzchniowy SMT MICROFJ-30020-TSV-TR1 onsemi

Powiązane linki