MOSFET Typ N-kanałowy 80 A TO-220 100 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 300 W STMicroelectronics 15 mΩ STP80NF10
- Nr art. RS:
- 485-7888
- Nr części producenta:
- STP80NF10
- Producent:
- STMicroelectronics
Suma częściowa (1 sztuka)*
12,35 zł
(bez VAT)
15,19 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
W magazynie
- Dodatkowe 2 szt. dostępne od 10 sierpnia 2026
- Dodatkowe 50 szt. dostępne od 10 sierpnia 2026
- Dodatkowe 10 255 szt. dostępne od 17 sierpnia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 1 + | 12,35 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 485-7888
- Nr części producenta:
- STP80NF10
- Producent:
- STMicroelectronics
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | STMicroelectronics | |
| Typ kanału | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu Id | 80A | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło Vds | 100V | |
| Typ obudowy | TO-220 | |
| Seria | STripFET II | |
| Typ montażu | Otwór przelotowy | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds | 15mΩ | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 300W | |
| Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs | 135nC | |
| Napięcie przewodzenia Vf | 1.3V | |
| Maksymalna temperatura robocza | 175°C | |
| Wysokość | 9.15mm | |
| Długość | 10.4mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka STMicroelectronics | ||
Typ kanału Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu Id 80A | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło Vds 100V | ||
Typ obudowy TO-220 | ||
Seria STripFET II | ||
Typ montażu Otwór przelotowy | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds 15mΩ | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Maksymalna strata mocy Pd 300W | ||
Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs 135nC | ||
Napięcie przewodzenia Vf 1.3V | ||
Maksymalna temperatura robocza 175°C | ||
Wysokość 9.15mm | ||
Długość 10.4mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
Tranzystory MOSFET STripFET™ o szerokim zakresie napięć zasilających zapewniają bardzo niski poziom naładowania bramki i niską rezystancję.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Powiązane linki
- MOSFET Typ N-kanałowy 80 A TO-220 100 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 300 W STMicroelectronics 15 mΩ
- MOSFET Typ N-kanałowy 80 A TO-220 75 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 300 W STMicroelectronics 11 mΩ
- MOSFET Typ N-kanałowy 80 A TO-220 100 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 300 W STMicroelectronics 23 mΩ
- MOSFET Typ N-kanałowy 80 A TO-220 120 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 300 W STMicroelectronics 18 mΩ
- MOSFET Typ N-kanałowy 80 A TO-220 55 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 300 W STMicroelectronics 6.5 mΩ
- MOSFET Typ N-kanałowy 80 A TO-220 75 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 300 W STMicroelectronics 11 mΩ STP75NF75
- MOSFET Typ N-kanałowy 80 A TO-220 100 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 300 W STMicroelectronics 23 mΩ STP60NF10
- MOSFET Typ N-kanałowy 80 A TO-220 120 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 300 W STMicroelectronics 18 mΩ STP80NF12