MOSFET Typ N-kanałowy 220 mA SOT-23 50 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 360 mW onsemi 3.5 Ω BSS138
- Nr art. RS:
- 671-0324
- Nr części producenta:
- BSS138
- Producent:
- onsemi
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Zobacz ceny hurtoweSuma częściowa (1 opakowanie po 10 sztuk/i)*
6,80 zł
(bez VAT)
8,40 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
Niedobór dostaw
- Dodatkowe 1360 szt. dostępne od 31 sierpnia 2026
- Dodatkowe 2000 szt. dostępne od 31 sierpnia 2026
Nasze obecne zapasy są ograniczone, a nasi dostawcy spodziewają się problemów z dostawą.
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,68 zł | 6,80 zł |
| 100 - 240 | 0,585 zł | 5,85 zł |
| 250 - 490 | 0,509 zł | 5,09 zł |
| 500 - 990 | 0,441 zł | 4,41 zł |
| 1000 + | 0,405 zł | 4,05 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 671-0324
- Nr części producenta:
- BSS138
- Producent:
- onsemi
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanału | Typ N | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu Id | 220mA | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło Vds | 50V | |
| Seria | BSS138 | |
| Typ obudowy | SOT-23 | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds | 3.5Ω | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs | 1.7nC | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs | 20V | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 360mW | |
| Napięcie przewodzenia Vf | 0.8V | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Wysokość | 0.93mm | |
| Długość | 2.92mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Szerokość | 1.3mm | |
| Norma motoryzacyjna | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanału Typ N | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu Id 220mA | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło Vds 50V | ||
Seria BSS138 | ||
Typ obudowy SOT-23 | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds 3.5Ω | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs 1.7nC | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs 20V | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Maksymalna strata mocy Pd 360mW | ||
Napięcie przewodzenia Vf 0.8V | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Wysokość 0.93mm | ||
Długość 2.92mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Szerokość 1.3mm | ||
Norma motoryzacyjna AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
Tryb powiększenia N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Tranzystory FET (ang. Field Effect Transistors) trybu poprawy są produkowane przy użyciu zastrzeżonej technologii DMOS firmy Fairchild, o dużej gęstości komórek. Ten proces o dużej gęstości został zaprojektowany tak, aby zminimalizować odporność na zmiany stanu, zapewnić solidną i niezawodną wydajność oraz szybkie przełączanie.
Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym
On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Powiązane linki
- MOSFET Typ N-kanałowy 220 mA SOT-23 50 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 360 mW onsemi 3.5 Ω
- MOSFET Typ N-kanałowy 200 mA SOT-23 50 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 300 mW DiodesZetex 3.5 Ω BSS138-7-F
- MOSFET Typ N-kanałowy 200 mA SOT-23 50 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 300 mW DiodesZetex 3.5 Ω
- MOSFET Typ N-kanałowy 230 mA SOT-23 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 360 mW Infineon 3.5 Ω
- MOSFET Typ N-kanałowy 230 mA SOT-23 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 360 mW Infineon 3.5 Ω BSS138NH6433XTMA1
- MOSFET Typ N-kanałowy 170 mA SOT-23 100 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 360 mW onsemi 6 Ω
- MOSFET Typ P-kanałowy 120 mA SOT-23 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 360 mW onsemi 10 Ω
- MOSFET Typ P-kanałowy 180 mA SOT-23 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 360 mW onsemi 5 Ω