NVRAM 4 MB 45 ns Równoległy 8 bit Infineon 44-pinowy Powierzchnia CY14B104LA-ZS25XI TSOP

Zobacz wszystkie NVRAM

Suma częściowa (1 sztuka)*

137,34 zł

(bez VAT)

168,93 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 316 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
1 +137,34 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
194-9072
Nr części producenta:
CY14B104LA-ZS25XI
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Rozmiar pamięci

4MB

Typ produktu

NVRAM

Organizacja

512 k x 8 Bit

Typ złącza

Równoległy

Szerokość magistrali danych

8bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

45ns

Typ montażu

Powierzchnia

Typ obudowy

TSOP

Liczba styków

44

Szerokość

10.26 mm

Wysokość

1.04mm

Normy/Zatwierdzenia

No

Długość

18.51mm

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Liczba słów

512K

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Liczba bitów w słowie

8

Norma motoryzacyjna

Nie

Prąd zasilania

70mA

Minimalne napięcie zasilania

2.7V

Maksymalne napięcie zasilania

3.6V

Kraj pochodzenia:
PH
Cypress CY14B104LA/CY14B104NA to szybka statyczna pamięć RAM (SRAM) z elementem nieulotnym w każdej komórce pamięci. Pamięć jest zorganizowana w postaci 512 KB po 8 bitów na każdy lub 256 KB po 16 bitów na każdy. Wbudowane elementy nieulotne są wyposażone w technologię QuantuTrap, która zapewnia niezawodną pamięć nieulotną. Pamięć SRAM zapewnia nieskończone cykle odczytu i zapisu, a niezależne dane nieulotne znajdują się w wysoce niezawodnej komórce QuantuumTrap. Transfer danych z pamięci SRAM do elementów nieulotnych (operacja ZAPISU) odbywa się automatycznie po włączeniu zasilania. Po włączeniu zasilania dane są przywracane do pamięci SRAM (operacja PRZYWOŁYWANIA) z pamięci nieulotnej. Zarówno OPERACJE ZAPISU, jak I PRZYWOŁANIA są również dostępne pod kontrolą oprogramowania.

Powiązane linki