Microchip Pamięć flash Bramka rozdzielająca 8 MB 8-pinowy SOIC Szeregowa-SPI Powierzchnia 8 ns, SST25VF080B-50-4I-S2AE
- Nr art. RS:
- 177-9811P
- Nr części producenta:
- SST25VF080B-50-4I-S2AE
- Producent:
- Microchip
Suma częściowa 10 sztuk/i (dostarczane w tubie)*
84,67 zł
(bez VAT)
104,14 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
W magazynie
- Dodatkowe 420 szt. dostępne od 28 sierpnia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 10 + | 8,467 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 177-9811P
- Nr części producenta:
- SST25VF080B-50-4I-S2AE
- Producent:
- Microchip
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Microchip | |
| Typ produktu | Pamięć flash | |
| Rozmiar pamięci | 8MB | |
| Typ złącza | Szeregowa-SPI | |
| Typ obudowy | SOIC | |
| Liczba styków | 8 | |
| Organizacja | 8M bitów | |
| Maksymalna częstotliwość zegara | 50MHz | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Typ komórek | Bramka rozdzielająca | |
| Minimalne napięcie zasilania | 2.7V | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 3.6V | |
| Typ pomiaru czasu | Synchroniczny | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Wysokość | 1.5mm | |
| Szerokość | 4mm | |
| Długość | 5mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 8ns | |
| Liczba bitów w słowie | 8 | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Seria | SST25VF080B | |
| Prąd zasilania | 15mA | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Microchip | ||
Typ produktu Pamięć flash | ||
Rozmiar pamięci 8MB | ||
Typ złącza Szeregowa-SPI | ||
Typ obudowy SOIC | ||
Liczba styków 8 | ||
Organizacja 8M bitów | ||
Maksymalna częstotliwość zegara 50MHz | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Typ komórek Bramka rozdzielająca | ||
Minimalne napięcie zasilania 2.7V | ||
Maksymalne napięcie zasilania 3.6V | ||
Typ pomiaru czasu Synchroniczny | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Wysokość 1.5mm | ||
Szerokość 4mm | ||
Długość 5mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 8ns | ||
Liczba bitów w słowie 8 | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
Seria SST25VF080B | ||
Prąd zasilania 15mA | ||
Układy SST25VF080B zostały udoskonalone i umożliwiają stosowanie szerszego zakresu częstotliwości, obniżając pobór mocy. Pamięci szeregowe flash SST25VF080B SPI są produkowane z wykorzystaniem opracowanej przez firmę SST opatentowanej technologii wydajnych układów CMOS SuperFlash. Konstrukcja komórki z dzieloną bramką oraz grubowarstwowy tlenkowy iniektor tunelowania pozwalają uzyskać wyższą niezawodność i wydajność produkcji w porównaniu z rozwiązaniami alternatywnymi.
Pojedyncze napięcie podczas odczytu i zapisu: 2,7–3,6 V
Architektura interfejsu szeregowego
Obsługa zegara SPI 50 MHz (zegar 80 MHz nie jest już dostępny)
Niezrównana niezawodność
Niskie zużycie energii:
Zmniejszenie łącznego czasu programowania układu w porównaniu do operacji programowania bajtów
Wykrywanie końca zapisu
Programowe pobieranie bitu BUSY w rejestrze stanu
Odczyt stanu zajętości na styku SO w trybie AAI
Styk wstrzymania (HOLD#)
Zawiesza sekwencję szeregową do pamięci bez blokowania układu
Zabezpieczenie przed zapisem (WP#)
Włącza/wyłącza funkcję blokady rejestru stanu
Programowane zabezpieczenie przed zapisem
Zabezpieczenie przed zapisem z wykorzystaniem bitów ochrony bloku w rejestrze stanu