Infineon Pamięć flash NOR 256 MB 24-pinowy BGA SPI Powierzchnia 8 ns, S25FL256LAGBHV020

Suma częściowa (1 opakowanie po 2 sztuk/i)*

29,20 zł

(bez VAT)

35,92 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • Dodatkowe 673 szt. dostępne od 07 września 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Opakowanie (-a)
Za Opakowanie
Za jednostkę*
1 +29,20 zł14,60 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
184-0071
Nr części producenta:
S25FL256LAGBHV020
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Rozmiar pamięci

256MB

Typ produktu

Pamięć flash

Typ złącza

SPI

Typ obudowy

BGA

Liczba styków

24

Organizacja

32M x 8 bitów

Typ montażu

Powierzchnia

Maksymalna częstotliwość zegara

133MHz

Typ komórek

NOR

Maksymalne napięcie zasilania

3.6V

Minimalne napięcie zasilania

2.7V

Typ pomiaru czasu

Synchroniczny

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Maksymalna temperatura robocza

105°C

Długość

6mm

Szerokość

6mm

Wysokość

0.95mm

Normy/Zatwierdzenia

No

Maksymalny czas dostępu swobodnego

8ns

Seria

S25FL256L

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100

Liczba słów

32M

Liczba bitów w słowie

8

Kraj pochodzenia:
US
Szeregowy interfejs urządzeń peryferyjnych (SPI) z obsługą wielu operacji we/wy

Biegunowość zegara i tryby fazy 0 i 3

Opcja podwójnej szybkości transmisji danych (DDR)

Opcja Quad Peripheral Interface (QPI)

Zaawansowane adresowanie: 24- lub 32-bitowe opcje adresu

Podzestaw funkcji Serial Command i zgodność podstawy z modelami S25FL-A, S25FL1-K, S25FL-P, S25FL-S i S25FS-S SPI

Podzestaw Multi I/O Command i zgodność podstawy z modelami S25FL-P, S25FL-S i S25FS-S SPI

Przeczytaj

Polecenia: Normal, Fast, Dual I/O, Quad I/O, DualO,QuadO, DDR Quad I/O.

Tryby: Burst Wrap, Continuous (XIP), QPI

Parametry szeregowe do wykrycia w pamięci Flash (SFDP) dla informacji o konfiguracji.

Architektura programu

Bufor programowania strony 256 bajtów

Pamięć flash 3,0 V FL-L

Zawieszenie i wznowienie programu

Usuń architekturę

Kasowanie w sektorze 1 KB

Czyszczenie bloku pół-blokowego o rozmiarze równym 32 KB

Czyszczenie bloku 64 KB w mundurze

Usuwanie wiórów

Kasowanie wstrzymania i wznawianie

100 000 cykli programowania/kasowania, min.

Co najmniej 20-letnie przechowywanie danych

Zabezpieczenia

Ochrona statusu i rejestru konfiguracji

Cztery regiony bezpieczeństwa o pojemności 256 bajtów każdy poza głównym obszarem

Macierz pamięci flash

Ochrona starszych bloków: Zakres bloków

Ochrona indywidualna i ochrona regionu

Blokada bloku indywidualnego: Lotny sektor/blok

Obszar wskaźnika: Nieulotny obszar/blok

Blokada zasilacza, hasło lub stała ochrona regionów bezpieczeństwa 2 i 3 i obszaru wskaźnika

Technologia

Technologia otwartej bramki 65 nm

Pojedyncze napięcie zasilające z układami wejścia/wyjścia CMOS

2,7 V do 3,6 V.

Opakowania (wszystkie bezołowiowe)

8-stykowe SOIC 208 mil (SOC008) - tylko S25FL128L.

WSON 5 x 6 mm (Wnd008) - tylko S25FL128L.

WSON 6 x 8 mm (WNG008) - tylko S25FL256L.

16-stykowy SOIC 300 milicali (SO3016)

BGA-24 6 x 8 mm

5 x 5 piłeczek (FAB024)

Podstawa montażowa 4 x 6 piłeczek (FAC024)

Powiązane linki

Dowiedz się jako pierwszy o naszych najnowszych produktach i usługach

Adres e-mail

Dane osobowe przekazane nam podczas zapisywania się na listę mailingową będą przetwarzane zgodnie z naszą polityką prywatności.