Infineon Lampa błyskowa FL-L NOR 128 MB 8-pinowy WSON SPI, S25FL128LAGMFV013

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Zobacz ceny hurtowe

Suma częściowa (1 sztuka)*

12,11 zł

(bez VAT)

14,90 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • Dodatkowe 7 szt. dostępne od 16 listopada 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.

Produkty
Za jednostkę
1 - 4912,11 zł
50 - 9910,71 zł
100 - 2499,54 zł
250 - 9999,50 zł
1000 +8,64 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
273-5374
Nr części producenta:
S25FL128LAGMFV013
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Typ produktu

Lampa błyskowa FL-L

Rozmiar pamięci

128MB

Typ złącza

SPI

Typ obudowy

WSON

Liczba styków

8

Organizacja

16MB

Maksymalna częstotliwość zegara

133MHz

Typ komórek

NOR

Minimalne napięcie zasilania

2.7V

Maksymalne napięcie zasilania

3.6V

Typ pomiaru czasu

DDR

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Maksymalna temperatura robocza

+105°C

Normy/Zatwierdzenia

RoHS

Seria

S25FL

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100 Stopień 1

Kraj pochodzenia:
CN

Pamięć FL-L Infineon serii S25FL, wielkość pamięci 128 MB, częstotliwość zegara 133 MHz – S25FL128LAGMFV013


Ten produkt FL-L flash to urządzenie z pamięcią szeregową NOR przeznaczone do wymagających systemów elektronicznych. Działa w szerokim zakresie temperatur i jest zgodny z wymaganiami RoHS, dzięki czemu nadaje się do sektorów regulowanych. Urządzenie wykorzystuje interfejs SPI w 8-stykowym pakiecie WSON i obsługuje synchronizację DDR w celu zapewnienia dostępu szeregowego o dużej przepustowości. Jego zakres zasilania umożliwia obsługę typowych wbudowanych szyn zasilających, co umożliwia integrację z kompaktowymi modułami.

Cechy i zalety:


• Pracuje w maksymalnej temperaturze +105°C, aby obsługiwać środowiska o wysokiej temperaturze
• Pracuje w temperaturze minimalnej -40°C, zapewniając rozszerzony zakres termiczny
• Zasilanie od 2,7 V do 3,6 V zapewnia zgodność z typowymi szynami zasilania
• Maksymalna częstotliwość zegara 133 MHz zapewniająca szybkie przesyłanie danych szeregowych
• Certyfikat AEC-Q100 klasy 1 dla zastosowań motoryzacyjnych

Zastosowania


• Odpowiednie do pamięci masowej z modułem sterowania samochodowego
• Idealne do wysokiej temperatury elektroniki przemysłowej
• Do użytku z krytycznymi podsystemami pojazdów wymagającymi pamięci NOR
• Może być używany do przechowywania oprogramowania sprzętowego w platformach wbudowanych

Jaki typ obudowy jest używany do montażu płytek drukowanych?


Jest dostarczany w 8-stykowym pakiecie WSON odpowiednim do montażu powierzchniowego.

Jakie interfejsy i tryby czasowe są obsługiwane do przesyłania danych?


Urządzenie komunikuje się za pośrednictwem interfejsu SPI i obsługuje synchronizację DDR w celu zwiększenia przepustowości transmisji.

Jaką architekturę komórkową wykorzystuje pamięć?


Wykorzystuje architekturę komórki NOR odpowiednią do bezpośredniego wykonywania kodu i odczytów losowych.

Jakie są dopuszczalne limity napięcia zasilania podczas pracy?


Prawidłowy zakres napięcia zasilania wynosi od 2,7 V do 3,6 V.

Czy spełnia standardy niezawodności klasy motoryzacyjnej?


Posiada certyfikat AEC-Q100 klasy 1 do zastosowań motoryzacyjnych.

Powiązane linki

Dowiedz się jako pierwszy o naszych najnowszych produktach i usługach

Adres e-mail

Dane osobowe przekazane nam podczas zapisywania się na listę mailingową będą przetwarzane zgodnie z naszą polityką prywatności.