Infineon FRAM 4 kB 8-pinowy SOIC

Ta pamięć FRAM to nieulotne urządzenie pamięci przeznaczone do przechowywania danych o niskim poborze mocy w systemach wbudowanych i samochodowych. Działa w typowym zakresie pojedynczego zasilania i zapewnia szerokobajtowy dostęp do danych dla oprogramowania sprzętowego, tabel kalibracji i zadań rejestrowania w ograniczonych przestrzeniach konstrukcji do montażu powierzchniowego. Element spełnia wymagania motoryzacyjne i nadaje się do użytku w szerokim zakresie temperatur przemysłowych.

• 8-bitowa magistrala danych umożliwiająca proste bajtowane połączenia i aktualizacje oprogramowania sprzętowego
• Zegar 1 MHz obsługujący terminowy dostęp szeregowy do systemów sterowania
• Maksymalny czas losowego dostępu wynoszący 550 ns zmniejsza opóźnienia odczytu w zadaniach wykonywanych w czasie rzeczywistym
• Działa w zakresie od 2,7 V do 3,65 V, zapewniając zgodność z powszechnymi szynami zasilania
• Certyfikat AEC-Q100 umożliwiający wdrożenie w motoryzacyjnych modułach elektronicznych
• Obudowa SOIC do montażu powierzchniowego umożliwiająca zautomatyzowany montaż na kompaktowych płytkach drukowanych

• Odpowiednie do przechowywania parametrów w węzłach CAN w motoryzacji
• Idealne do oprzyrządowania wymagającego częstego zapisu nieulotnego
• Używany z systemami mikrokontrolerów do przechowywania danych kalibracji
• Może być używany do rejestrowania zdarzeń w przemysłowych urządzeniach sterujących
• Służy do buforowania danych przy niskim poborze energii z wykorzystaniem akumulatora w czujnikach

Urządzenie działa przy minimalnym napięciu zasilania 2,7 V do maksymalnego napięcia 3,65 V, co umożliwia projektantom wybór regulatorów i progów nadzoru, które utrzymują niezawodne działanie w tym oknie.

Jest przeznaczony do pracy w zakresie od -40°C do 85°C, zapewniając przewidywalne zachowanie elektryczne w zastosowaniach od przemysłowych do motoryzacyjnych środowisk termicznych.

Obudowa jest montowana powierzchniowo SOIC z liczbą styków 8, dzięki czemu przestrzeń i kontrola lutowania powinny być zgodne ze standardowymi praktykami montażowymi SOIC w celu utrzymania integralności mechanicznej i termicznej.

Pamięć jest zorganizowana jako 512M słów przez 8 bitów, co zapewnia całkowitą liczbę adresowalnych lokalizacji 8-bitowych odpowiednich do kompaktowych potrzeb pamięci masowej nieulotnej.