Infineon FRAM 64 kB 2-przewodowy I2C 8-pinowy SOIC

Zobacz wszystkie Pamięć FRAM
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 tuba po 97 sztuk/i)*

1 305,62 zł

(bez VAT)

1 606,32 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • Dodatkowe 1649 szt. dostępne od 27 kwietnia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.

Produkty
Za jednostkę
Za Tubę*
97 - 9713,46 zł1 305,62 zł
194 - 48512,087 zł1 172,44 zł
582 - 97011,576 zł1 122,87 zł
1067 +10,943 zł1 061,47 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
188-5397
Nr części producenta:
FM24C64B-G
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Typ produktu

FRAM

Rozmiar pamięci

64kB

Typ złącza

2-przewodowy I2C

Szerokość magistrali danych

8bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

550ns

Typ montażu

Powierzchnia

Maksymalna częstotliwość zegara

1MHz

Typ obudowy

SOIC

Liczba styków

8

Długość

4.97mm

Wysokość

1.38mm

Normy/Zatwierdzenia

No

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Maksymalne napięcie zasilania

5.5V

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100

Minimalne napięcie zasilania

4.5V

Liczba słów

8K

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Liczba bitów w słowie

8

Kraj pochodzenia:
US

FRAM, Cypress Semiconductor


Pamięć o swobodnym dostępie ferroelektrycznym (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością nieulotnych modułów pamięci RAM dla interfejsów szeregowych i równoległych. Części z przyrostkiem A są przeznaczone do zastosowań w motoryzacji i posiadają kwalifikacje AEC-Q100.

Nieulotna pamięć RAM

Duża szybkość zapisu

Wysoka wytrzymałość

Niski pobór mocy

Ram (ferroelektryczna pamięć RAM)


Framm (ferroelec Random Access Memory) to pamięć nieulotna, w której do przechowywania danych wykorzystywana jest folia ferroelektryczna. Pamięć F-RAM, posiadająca właściwości pamięci ROM i RAM, charakteryzuje się szybkim dostępem, dużą wytrzymałością w trybie zapisu, niskim zużyciem energii, niezmiennością i znakomitą odpornością na sabotaż. Dlatego jest to idealna pamięć do stosowania na kartach inteligentnych, które wymagają wysokiego poziomu bezpieczeństwa i niskiego zużycia energii, jak również na telefonach komórkowych i innych urządzeniach.

Powiązane linki